電力調(diào)整器編輯鎖定電力調(diào)整器是應(yīng)用晶閘管（又稱可控硅）及其觸發(fā)控制電路用于調(diào)整負載功率的盤裝功率調(diào)整單元。更多的是運用數(shù)字電路觸發(fā)可控硅實現(xiàn)調(diào)壓和調(diào)功。調(diào)壓采用移相控制方式，調(diào)功有定周期調(diào)功和變周期調(diào)功兩種方式。中文名電力調(diào)整器方式定周期調(diào)功和變周期調(diào)功類別盤裝功率調(diào)整單元特點主電路和控制電路一體化結(jié)構(gòu)目錄1電力調(diào)整器低諧波**2三相可控硅電力調(diào)整器3單相可控硅電力調(diào)整器電力調(diào)整器電力調(diào)整器低諧波**編輯1.采用比例式不產(chǎn)生諧波控制。2.應(yīng)用于恒溫恒濕加熱系統(tǒng)需低諧波環(huán)境。3.本控制器之保護裝置:1.來源電欠相。2.保險絲斷線檢知。3.本控制器散熱片超溫保護。4.異常輸出接點，提供遠程監(jiān)控使用，接點容量240VAC/5A。4.本控制器具有CE國際安全認證之標準。5.具有，并提供異常輸出接點，可做系統(tǒng)緊急控制之用。6.體積精巧、散熱佳，內(nèi)含半導(dǎo)體**快速保險絲，不怕負載短路。7.冷卻風(fēng)扇動作具有溫度控制，’當散熱片溫度55oC時工作，45oC時停止，可提高風(fēng)扇壽命2~3倍。8.本控制器散熱片具超溫保護裝置及異常輸出接點，接點容量240VAC/10A。業(yè)界推出的節(jié)能燈和電子鎮(zhèn)流器**三極管都十分注重對貯存時間的控制。單相整流可控硅貨源

    若在晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通后斷開G極，T2、T1極間不能維持低阻導(dǎo)通狀態(tài)而阻值變?yōu)闊o窮大，則說明該雙向晶閘管性能不良或已經(jīng)損壞。若給G極加上正(或負)極性觸發(fā)信號后，晶閘管仍不導(dǎo)通(T1與T2間的正、反向電阻值仍為無窮大)，則說明該晶閘管已損壞，無觸發(fā)導(dǎo)通能力。對于工作電流在8A以上的中、大功率雙向晶閘管，在測量其觸發(fā)能力時，可先在萬用表的某支表筆上串接1～3節(jié)1．5V干電池，然后再用R×1檔按上述方法測量。對于耐壓為400V以上的雙向晶閘管，也可以用220V交流電壓來測試其觸發(fā)能力及性能好壞。圖6是雙向晶閘管的測試電路。電路中，F(xiàn)L為60W／220V白熾燈泡，VT為被測雙向晶閘管，R為100Ω限流電阻，S為按鈕。將電源插頭接入市電后，雙向晶閘管處于截止狀態(tài)，燈泡不亮(若此時燈泡正常發(fā)光，則說明被測晶閘管的T1、T2極之間已擊穿短路；若燈泡微亮，則說明被測晶閘管漏電損壞)。按動一下按鈕S，為晶閘管的門極G提供觸發(fā)電壓信號，正常時晶閘管應(yīng)立即被觸發(fā)導(dǎo)通，燈泡正常發(fā)光。若燈泡不能發(fā)光，則說明被測晶閘管內(nèi)部開路損壞。若按動按鈕s時燈泡點亮，松手后燈泡又熄滅，則表明被測晶閘管的觸發(fā)性能不良。單相整流可控硅貨源整流器/充電機應(yīng)有輸出濾波器以將加在蓄電池的紋波電壓減少到**小。

    2具體電路實現(xiàn)電路結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。該電路選取單向橋式半控整流電路，降低了成本。大功率或大電流的穩(wěn)壓電源，一般采用L－C濾波電路。但是，大電流的濾波電抗器體積大，重量重，價格也較貴，因此，在該穩(wěn)壓電源的設(shè)計中仍采用大電容濾波。線性穩(wěn)壓器部分仍采用串聯(lián)反饋調(diào)整型穩(wěn)壓器原理，構(gòu)成一個閉環(huán)反饋系統(tǒng)。主要包括：調(diào)整管，取樣電路，基準電壓源，誤差比較放大器。由于該穩(wěn)壓電源輸出電流20A，電流很大，所以，為減小調(diào)整管功耗，采用并聯(lián)形式，在本電源中，調(diào)整管用兩個大功率三極管并聯(lián)，使每管流過電流為10A左右。這樣，每個管子的功耗不大于40W，減小了調(diào)整管功耗。調(diào)整管集電極電流為10A左右，因此應(yīng)采用大功率晶體三極管，選取β＝40～50，這樣，基極電流應(yīng)達2×0．3A，即600mA。而一般集成運算放大器輸出電流只有幾十毫安級，不能讓比較放大電路的輸出端直接來推動調(diào)整管，因此在比較放大電路的輸出端與調(diào)整管的基極之間，加入推動級，此處選擇一個小功率三極管，構(gòu)成復(fù)合管的形式。啟動電阻Rc取2k。防振電容C取10μF。在穩(wěn)壓電路中，基準源是整個穩(wěn)壓系統(tǒng)工作的參考，穩(wěn)壓的**終效果取決于基準源的水平。因此，該電源中。

    1．判定柵極G將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，并且交換表筆后仍為無窮大，則證明此腳為G極，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。2．判定源極S、漏極D由圖1可見，在源-漏之間有一個PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。3．測量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。由于測試條件不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=，大于（典型值）。4．檢查跨導(dǎo)將萬用表置于R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應(yīng)有明顯偏轉(zhuǎn)，偏轉(zhuǎn)愈大，管子的跨導(dǎo)愈高。注意事項：（1）VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數(shù)產(chǎn)品屬于N溝道管。對于P溝道管，測量時應(yīng)交換表筆的位置。（2）有少數(shù)VMOS管在G-S之間并有保護二極管，本檢測方法中的1、2項不再適用。（3）目前市場上還有一種VMOS管功率模塊。調(diào)整器具有恒電壓、恒電流、恒功率三種反饋形式供用戶選擇。

可控硅有三個極----陽極（A）、陰極（C）和控制極（G），管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個PN 結(jié)，與只有一個PN結(jié)的硅整流二極管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引入，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。可控硅應(yīng)用時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。半導(dǎo)體PN結(jié)在正向偏置時電流很大，反向偏置時電流很小。單相整流可控硅貨源

可控硅調(diào)整器采用移相式觸發(fā)方式、適用于阻性負載、感性負載、變壓器一次側(cè)等各種負載類型。單相整流可控硅貨源

    只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變（交流過零）時，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止狀態(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止狀態(tài)相當于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無觸點開關(guān)。雙向可控硅***陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和***陽極A1間加有正負極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài)。此時A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導(dǎo)通，即使失去觸發(fā)電壓，也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當***陽極A1、第二陽極A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時，雙向可控硅才截斷，此時只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的檢測。萬用表選電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對引腳，此時黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應(yīng)不動。單相整流可控硅貨源

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