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電源、地處理，（1）不同電源、地網(wǎng)絡銅皮分割帶優(yōu)先≥20Mil，在BGA投影區(qū)域內(nèi)分隔帶小為10Mil。（2）開關電源按器件資料單點接地，電感下不允許走線；（3）電源、地網(wǎng)絡銅皮的最小寬度處滿足電源、地電流大小的通流能力，參考4.8銅皮寬度通流表。（4）電源、...

整板扇出（1）對板上已處理的表層線和過孔按照規(guī)則進行相應的調(diào)整。（2）格點優(yōu)先選用25Mil的，其次采用5Mil格點，過孔扇出在格點上，相同器件過孔走線采用復制方式，保證過孔上下左右對齊、常見分立器件的扇出形式（3）8MIL過孔中心間距35MIL以上，10MI...

電源模塊擺放電源模塊要遠離易受干擾的電路，如ADC、DAC、RF、時鐘等電路模塊，發(fā)熱量大的電源模塊，需要拉大與其它電路的距離，與其他模塊的器件保持3mm以上的距離。不同模塊的用法電源，靠近模塊擺放，負載為整板電源供電的模塊優(yōu)先擺放在總電源輸入端。其它器件擺放...

通過規(guī)范PCBLayout服務操作要求，提升PCBLayout服務質(zhì)量和保證交期的目的。適用范圍適用于我司PCBLayout業(yè)務。文件維護部門設計部。定義與縮略語（1）PCBLayout：利用EDA軟件將邏輯原理圖設計為印制電路板圖的全過程。（2）PCB:印刷...

整板布線，1）所有焊盤必須從中心出線,線路連接良好，（2）矩形焊盤出線與焊盤長邊成180度角或0度角出線，焊盤內(nèi)部走線寬度必須小于焊盤寬度，BGA焊盤走線線寬不大于焊盤的1/2，走線方式，（3）所有拐角處45度走線，禁止出現(xiàn)銳角和直角走線，（4）走線到板邊的距...

SDRAM模塊SDRAM介紹：SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory（同步動態(tài)隨機存儲器）的簡稱，是使用很的一種存儲器，一般應用在200MHz以下，常用在33MHz、90MHz、100MHz、125MHz、133M...

DDRII新增特性，ODT（ On Die Termination）,DDR匹配放在PCB電路板上，而DDRII則把匹配直接設計到DRAM芯片內(nèi)部，用來改善信號品質(zhì)，這使得DDRII的拓撲結構較DDR簡單，布局布線也相對較容易一些。說明：ODT（On-Die ...

工藝方面注意事項（1）質(zhì)量較大、體積較大的SMD器件不要兩面放置；（2）質(zhì)量較大的元器件放在板的中心；（3）可調(diào)元器件的布局要方便調(diào)試（如跳線、可變電容、電位器等）；（4）電解電容、鉭電容極性方向不超過2個；（5）SMD器件原點應在器件中心，布局過程中如發(fā)現(xiàn)異...

DDRII新增特性，ODT（ On Die Termination）,DDR匹配放在PCB電路板上，而DDRII則把匹配直接設計到DRAM芯片內(nèi)部，用來改善信號品質(zhì)，這使得DDRII的拓撲結構較DDR簡單，布局布線也相對較容易一些。說明：ODT（On-Die ...

FPGA管換注意事項，首先和客戶確認是否可以交換以及交換原則，其次，在FPGA交換管腳期間，不允許有原理圖的更改，如果原理圖要更改，在導入更改之后再調(diào)整管腳，管換的一般原則如下，在調(diào)整時應嚴格意遵守：（1）基本原則：管腳不能調(diào)整，I/O管腳、Input管腳或者...

關鍵信號布線（1）射頻信號：優(yōu)先在器件面走線并進行包地、打孔處理，線寬8Mil以上且滿足阻抗要求，如下圖所示。不相關的線不允許穿射頻區(qū)域。SMA頭部分與其它部分做隔離單點接地。（2）中頻、低頻信號：優(yōu)先與器件走在同一面并進行包地處理，線寬≥8Mil，如下圖所示...

SDRAM模塊SDRAM介紹：SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory（同步動態(tài)隨機存儲器）的簡稱，是使用很的一種存儲器，一般應用在200MHz以下，常用在33MHz、90MHz、100MHz、125MHz、133M...

DDR與SDRAM信號的不同之處，1、DDR的數(shù)據(jù)信號與地址\控制信號是參考不同的時鐘信號，數(shù)據(jù)信號參考DQS選通信號，地址\控制信號參考CK\CK#差分時鐘信號；而SDRAM信號的數(shù)據(jù)、地址、控制信號是參考同一個時鐘信號。2、數(shù)據(jù)信號參考的時鐘信號即DQS信...

規(guī)則設置子流程：層疊設置→物理規(guī)則設置→間距規(guī)則設置→差分線規(guī)則設置→特殊區(qū)域規(guī)則設置→時序規(guī)則設置◆層疊設置：根據(jù)《PCB加工工藝要求說明書》上的層疊信息，在PCB上進行對應的規(guī)則設置?！粑锢硪?guī)則設置（1）所有阻抗線線寬滿足《PCB加工工藝要求說明書》中的阻...

等長線處理等長線處理的步驟：檢查規(guī)則設置→確定組內(nèi)長線段→等長線處理→鎖定等長線。（1）檢查組內(nèi)等長規(guī)則設置并確定組內(nèi)基準線并鎖定。（2）單端蛇形線同網(wǎng)絡走線間距S≥3W，差分對蛇形線同網(wǎng)絡走線間距≥20Mil。（3）差分線對內(nèi)等長優(yōu)先在不匹配端做補償，其次在...

工藝方面注意事項（1）質(zhì)量較大、體積較大的SMD器件不要兩面放置；（2）質(zhì)量較大的元器件放在板的中心；（3）可調(diào)元器件的布局要方便調(diào)試（如跳線、可變電容、電位器等）；（4）電解電容、鉭電容極性方向不超過2個；（5）SMD器件原點應在器件中心，布局過程中如發(fā)現(xiàn)異...

繪制結構特殊區(qū)域及拼板（1）設置允許布局區(qū)域：回流焊傳送邊的寬度要求為5mm以上,傳送邊上不能有貼片元器件；一般使用板框長邊用作回流焊傳送邊；短邊內(nèi)縮默認2mm，不小于1mm；如短邊作為傳送邊時，寬長比＞2:3；傳送邊進板方向不允許有缺口；傳送邊中間有缺口時長...

射頻、中頻電路（1）射頻電路★基本概念1、射頻：是電磁波按應用劃分的定義,專指具有一定波長可用于無線電通信的電磁波，射頻PCB可以定義為具有頻率在30MHz至6GHz范圍模擬信號的PCB。2、微帶線：是一種傳輸線類型。由平行而不相交的帶狀導體和接地平面構成。微...

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸...

射頻、中頻電路（3）射頻電路的PCBLAYOUT注意事項1、在同一個屏蔽腔體內(nèi)，布局時應該按RF主信號流一字布局，由于空間限制，如果在同一個屏蔽腔內(nèi)，RF主信號的元器件不能采用一字布局時，可以采用L形布局，比較好不要用U字形布局，在使用U字形布局前，一定要對U...

Gerber輸出Gerber輸出前重新導入網(wǎng)表，保證終原理圖與PCB網(wǎng)表一致，確保Gerber輸出前“替代”封裝已更新，根據(jù)《PCBLayout檢查表》進行自檢后，進行Gerber輸出。PCBLayout在輸出Gerber階段的所有設置、操作、檢查子流程步驟如...

ADC/DAC電路：（4）隔離處理：隔離腔體應做開窗處理、方便焊接屏蔽殼，在屏蔽腔體上設計兩排開窗過孔屏蔽，過孔應相互錯開，同排過孔間距為150Mil。，在腔體的拐角處應設計3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼，隔離腔體內(nèi)的器件與屏蔽殼的間距＞0.5mm。如...

射頻、中頻電路（3）射頻電路的PCBLAYOUT注意事項1、在同一個屏蔽腔體內(nèi)，布局時應該按RF主信號流一字布局，由于空間限制，如果在同一個屏蔽腔內(nèi)，RF主信號的元器件不能采用一字布局時，可以采用L形布局，比較好不要用U字形布局，在使用U字形布局前，一定要對U...

工藝方面注意事項（1）質(zhì)量較大、體積較大的SMD器件不要兩面放置；（2）質(zhì)量較大的元器件放在板的中心；（3）可調(diào)元器件的布局要方便調(diào)試（如跳線、可變電容、電位器等）；（4）電解電容、鉭電容極性方向不超過2個；（5）SMD器件原點應在器件中心，布局過程中如發(fā)現(xiàn)異...

調(diào)整器件字符的方法還有：“1”、“O”、△、或者其他符號要放在對應的1管腳處；對BGA器件用英文字母和阿拉伯數(shù)字構成的矩陣方式表示。帶極性器件要把“+”或其他標識放在正極旁；對于管腳較多的器件要每隔5個管腳或者收尾管腳都要標出管腳號（6）對于二極管正極標注的擺...

添加特殊字符（1）靠近器件管腳擺放網(wǎng)絡名，擺放要求同器件字符，（2）板名、版本絲?。悍胖迷赑CB的元件面，水平放置，比元件位號絲印大（常規(guī)絲印字符寬度10Mil，高度80Mil）；扣板正反面都需要有板名絲印，方便識別。添加特殊絲印（1）條碼：條碼位置應靠近PC...

工藝方面注意事項（1）質(zhì)量較大、體積較大的SMD器件不要兩面放置；（2）質(zhì)量較大的元器件放在板的中心；（3）可調(diào)元器件的布局要方便調(diào)試（如跳線、可變電容、電位器等）；（4）電解電容、鉭電容極性方向不超過2個；（5）SMD器件原點應在器件中心，布局過程中如發(fā)現(xiàn)異...

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸...

SDRAM時鐘源同步和外同步1、源同步：是指時鐘與數(shù)據(jù)同時在兩個芯片之間間傳輸，不需要外部時鐘源來給SDRAM提供時鐘，CLK由SDRAM控制芯片（如CPU）輸出，數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號由CLK來觸發(fā)和鎖存，CLK必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信...

DDR的PCB布局、布線要求4、對于DDR的地址及控制信號，如果掛兩片DDR顆粒時拓撲建議采用對稱的Y型結構，分支端靠近信號的接收端，串聯(lián)電阻靠近驅動端放置（5mm以內(nèi)），并聯(lián)電阻靠近接收端放置（5mm以內(nèi)），布局布線要保證所有地址、控制信號拓撲結構的一致性及...