內(nèi)量子效率表示在光電器件內(nèi)部發(fā)生的光電子轉(zhuǎn)換效率,具體來說,是指被材料吸收的光子轉(zhuǎn)化為電子-空穴對(duì)的效率。在發(fā)光器件中,內(nèi)量子效率**了注入的電子和空穴在復(fù)合時(shí)能夠產(chǎn)生光子的比例。在光電探測(cè)器或太陽(yáng)能電池中,內(nèi)量子效率表示被材料吸收的光子有多少生成了可用的電子。物理過程在光電器件中,光子進(jìn)入材料后被吸收,激發(fā)電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶,從而產(chǎn)生電子-空穴對(duì)。這一過程稱為載流子激發(fā)。理想情況下,每個(gè)吸收的光子都會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電子-空穴對(duì),意味著內(nèi)量子效率為100%。然而,在實(shí)際器件中,由于復(fù)合過程(如非輻射復(fù)合和界面缺陷),部分電子-空穴對(duì)會(huì)在未產(chǎn)生光子(發(fā)光器件)或電流(光電器件)的情況下消失,從而導(dǎo)致...
量子點(diǎn)電致發(fā)光二極管(QLED)是顯示技術(shù)中的一項(xiàng)前沿創(chuàng)新,它通過量子點(diǎn)材料的優(yōu)異光學(xué)性能,能夠產(chǎn)生更純凈、飽和的色彩。在QLED技術(shù)開發(fā)中,量子效率的測(cè)量對(duì)于評(píng)估和改進(jìn)量子點(diǎn)材料的發(fā)光效率至關(guān)重要。QLED的發(fā)光效率依賴于量子點(diǎn)材料在電場(chǎng)下的電子-空穴對(duì)的復(fù)合效率,量子效率可以量化這一過程的有效性。通過測(cè)量QLED的內(nèi)量子效率(IQE),可以評(píng)估量子點(diǎn)材料在不同電場(chǎng)條件下的發(fā)光性能,幫助研發(fā)人員選擇更合適的量子點(diǎn)材料。同時(shí),外量子效率(EQE)的測(cè)量則可以用于評(píng)估QLED器件的整體發(fā)光性能,判斷器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)是否存在光子損失或電學(xué)損耗。量子效率測(cè)量的結(jié)果可以幫助研發(fā)人員優(yōu)化量子點(diǎn)的表面處理工藝...