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三極管的構(gòu)造，三極管有三個(gè)區(qū)域，分別被命名為發(fā)射結(jié)、基極和集電結(jié)。它的基本原理是利用半導(dǎo)體材料中P型和N型材料間的PN結(jié)和PNP結(jié)的特性來(lái)實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大。三極管的白色瓷體上標(biāo)注著三個(gè)觸點(diǎn)，分別為發(fā)射極、基極和集電極。三極管的工作原理，三極管的工作原理很復(fù)雜，但可...

三極管三種工作狀態(tài)電流特征，三極管有三種工作狀態(tài)：截止、放大、飽和。用于不同目的的三極管其工作狀態(tài)不同。三極管電流方向識(shí)別，三極管電路符號(hào)中發(fā)射箭頭的方向表示三極管各電極電流流動(dòng)的方向。什么是三極管，三極管（Transistor），是一種用于信號(hào)放大、開(kāi)關(guān)、調(diào)...

如何看貼片三極管的型號(hào)？由于貼片三極管的體積很小，無(wú)法標(biāo)注完整型號(hào)，故不少?gòu)S家都采用絲印來(lái)表示貼片三極管的型號(hào)。NPN型三極管是指由兩塊N型半導(dǎo)體中間夾著一塊P型半導(dǎo)體所組成的三極管；也稱(chēng)為晶體三極管，可以說(shuō)它是電子電路中較重要的器件。三極管是電子電路中較重要...

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS...

三極管的參數(shù)，三極管的參數(shù)有很多，可以分成三大類(lèi)：直流參數(shù)、交流參數(shù)、極限參數(shù)。直流參數(shù)：a.集電極—基極反向飽和電流Icbo集電極—基極反向飽和電流是指發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，基極和集電極之間加上規(guī)定的反向電壓Ucb時(shí)的集電極反向電流。b.集電極—發(fā)射極反向電流Ice...

三極管能夠放大信號(hào)的理解，三極管具有電流放大作用，它是一個(gè)電流控制器件。所謂電流控制器件是指，它用很小的基極電流來(lái)控制比較大的集電極電流和發(fā)射極電流。三極管電路中，三極管輸出電流（集電極電流、發(fā)射極電流）是由直流電源提供的，基極電流則是一部分由所要放大的信號(hào)源...

在電子工程領(lǐng)域，二極管作為基礎(chǔ)的電子元件，其種類(lèi)繁多，功能各異。其中，穩(wěn)壓二極管和普通二極管因其獨(dú)特的特性和應(yīng)用場(chǎng)景而備受關(guān)注。本文將詳細(xì)比較穩(wěn)壓二極管與普通二極管的不同之處，以便讀者更好地理解和應(yīng)用這兩種元件。功能區(qū)別，穩(wěn)壓二極管，也被稱(chēng)為齊納二極管，其主要...

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個(gè)方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導(dǎo)體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過(guò)...

這些電極的名稱(chēng)和它們的功能有關(guān)。柵極可以被認(rèn)為是控制一個(gè)物理柵的開(kāi)關(guān)。這個(gè)柵極可以通過(guò)制造或者消除源極和漏極之間的溝道，從而允許或者阻礙電子流過(guò)。如果受一個(gè)加上的電壓影響，電子流將從源極流向漏極。體很簡(jiǎn)單的就是指柵、漏、源極所在的半導(dǎo)體的塊體。通常體端和一個(gè)電...

場(chǎng)效應(yīng)晶體管。當(dāng)滿(mǎn)足 MOS 管的導(dǎo)通條件時(shí)，MOS 管的 D 極和 S 極會(huì)導(dǎo)通，這個(gè)時(shí)候體二極管是截止?fàn)顟B(tài)。因?yàn)?MOS 管導(dǎo)通內(nèi)阻很小，不足以使寄生二極管導(dǎo)通。MOS管的導(dǎo)通條件：PMOS增強(qiáng)型管：UG-US|UGSTH| ， UGSTH是開(kāi)啟電壓；NM...

馬達(dá)控制應(yīng)用馬達(dá)控制應(yīng)用是功率MOSFET大有用武之地的另一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。典型的半橋式控制電路采用2個(gè)MOSFET (全橋式則采用4個(gè))，但這兩個(gè)MOSFET的關(guān)斷時(shí)間(死區(qū)時(shí)間)相等。對(duì)于這類(lèi)應(yīng)用，反向恢復(fù)時(shí)間(trr) 非常重要。在控制電感式負(fù)載(比如馬達(dá)繞...

場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：一、飽和漏源電流。飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓UGS＝0時(shí)的漏源電流。二、夾斷電壓，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。三、開(kāi)啟電壓。開(kāi)啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)...

三極管（英語(yǔ)：transistor）是一種電子器件，具有電流放大作用。三極管的三個(gè)電極連接著交流電源的正負(fù)極，中間部分是基區(qū)。當(dāng)基區(qū)加上正向電壓時(shí)，集電結(jié)正偏而形成發(fā)射結(jié)；反之集電結(jié)反偏而形成漏極-源二極。三極管是電子設(shè)備中較重要的無(wú)源元件之一，在電路中用"v...

恒流二極管 （ 英語(yǔ) ： Constant Current Diode ） （或稱(chēng)定電流二極管，CRD、Current Regulative Diode），被施加順?lè)较螂妷旱膱?chǎng)合，無(wú)論電壓多少，可以得到一定的電流的元件。通常的電流容量在1~15mA的范圍。雖然...

電流放大原理，下面的分析只對(duì)于NPN型硅三極管.我們把從基極B流至發(fā)射極E的電流叫做基極電流Ib;把從集電極C流至發(fā)射極E的電流叫做集電極電流 Ic.這兩個(gè)電流的方向都是流出發(fā)射極的,所以發(fā)射極E上就用了一個(gè)箭頭來(lái)表示電流的方向.三極管的放大作用就是：集電極電...

三極管的分類(lèi)：1、按材質(zhì)分: 硅管（導(dǎo)通壓降0.7V）、鍺管（導(dǎo)通壓降0.3V）。2、按結(jié)構(gòu)分: NPN 、 PNP。3、按功能分: 開(kāi)關(guān)管、功率管、達(dá)林頓管、光敏管。達(dá)林頓管：又叫復(fù)合管，將兩個(gè)三極管串聯(lián)，以組成一只等效的新的三極管。接法總共有4種：NPN+...

三極管飽和情況，像圖1因?yàn)槭艿诫娮鑂c的限制(Rc是固定值，那么較大電流為U/Rc，其中U為電源電壓)，集電極電流是不能無(wú)限增加下去的。當(dāng)基極電流的增大，不能使集電極電流繼續(xù)增大時(shí)，三極管就進(jìn)入了飽和狀態(tài)。一般判斷三極管是否飽和的準(zhǔn)則是：Ib*β〉Ic。進(jìn)入飽...

反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢(shì)壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時(shí)，破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，致使電流急劇增大，這種擊穿稱(chēng)為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢(shì)壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊...

二極管的反向特性：當(dāng)外加反向電壓時(shí)，所加的反向電壓加強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多數(shù)載流子的阻擋，所以二極管中幾乎沒(méi)有電流通過(guò)。但是這時(shí)的外電場(chǎng)能促使少數(shù)載流子漂移，所以少數(shù)載流子形成很小的反向電流。由于少數(shù)載流子數(shù)量有限，只要加不大的反向電壓就可以使全部少數(shù)載流子越過(guò)PN結(jié)...

二極管的分類(lèi)：一、按半導(dǎo)體材料分類(lèi)，二極管按其使用的材料可分為鍺（Ge）二極管、硅（Si）二極管、砷化鎵（GaAs）二極管、磷化鎵（GaP）二極管等。二、按封裝形式分類(lèi)，二極管按其封裝形式可分為塑料二極管、玻璃二極管、金屬二極管、片狀二極管、無(wú)引線圓柱形二極管...

場(chǎng)效應(yīng)管（Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)FET）是電子技術(shù)中普遍使用的一種半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗、噪聲低和低功耗等優(yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)管的用途：一、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解...

雪崩二極管，雪崩二極管的英文名稱(chēng)為Avalanche diode，它是利用半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中載流子的碰撞電離和渡越時(shí)間兩種物理效應(yīng)而產(chǎn)生負(fù)阻的固體微波器件。當(dāng)反向電壓增大到一定數(shù)值時(shí)，PN結(jié)被反向擊穿，載流子倍增就像雪崩一樣，反向電流突然快速增加。雪崩二極管用于在特...

二極管的英文是diode。二極管的正.負(fù)二個(gè)端子,一端稱(chēng)為陽(yáng)極,一端稱(chēng)為陰極。電流只能從陽(yáng)極向陰極方向移動(dòng)。二極管是由半導(dǎo)體組成的器件。半導(dǎo)體無(wú)論哪個(gè)方向都能流動(dòng)電流。二極管（英語(yǔ)：Diode），電子元件當(dāng)中，一種具有兩個(gè)電極的裝置，只允許電流由單一方向流過(guò)。...

晶體三極管的種類(lèi)：硅管和鍺管（按半導(dǎo)體材料分），鍺管比硅管的起始工工作電壓低、飽和壓降較低。三極管導(dǎo)通時(shí)，發(fā)射極和集電極的電壓鍺管比硅管更低。因?yàn)殒N材料制成的PN結(jié)比硅材料制成的PN結(jié)的正向?qū)妷旱?，前者?.2～0.3V，后者為0.6～0.7V。所以鍺三極...

反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢(shì)壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時(shí)，破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，致使電流急劇增大，這種擊穿稱(chēng)為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢(shì)壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊...

1874年，德國(guó)物理學(xué)家卡爾·布勞恩在卡爾斯魯厄理工學(xué)院發(fā)現(xiàn)了晶體的整流能力。因此1906年開(kāi)發(fā)出的頭一代二極管——“貓須二極管”是由方鉛礦等礦物晶體制成的。早期的二極管還包含了真空管，真空管二極管具有兩個(gè)電極 ，一個(gè)陽(yáng)極和一個(gè)熱式陰極。在半導(dǎo)體性能被發(fā)現(xiàn)后，...

可以通過(guò)手動(dòng)調(diào)節(jié)晶體表面上的導(dǎo)線，以獲得較佳的信號(hào)。這個(gè)較為麻煩的設(shè)備在20世紀(jì)20年代由熱離子二極管所取代。20世紀(jì)50年代，高純度的半導(dǎo)體材料出現(xiàn)。因?yàn)樾鲁霈F(xiàn)的鍺二極管價(jià)格便宜，晶體收音機(jī)重新開(kāi)始被大規(guī)模使用。貝爾實(shí)驗(yàn)室還開(kāi)發(fā)了鍺二極管微波接收器。20世紀(jì)...

MOS場(chǎng)效應(yīng)管，即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫(xiě)為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的...

什么是三極管，三極管，不管是在模電還是數(shù)電中都是常見(jiàn)的電子器件，利用它的特性，在模電中通常作放大作用，而在數(shù)電中則作開(kāi)關(guān)或者邏輯轉(zhuǎn)換。三極管的主要結(jié)構(gòu)是PN結(jié)，可以是NPN組合，也可以是PNP組合。三極管較基本的作用是放大，把微弱的電信號(hào)放大成一定強(qiáng)度的信號(hào)，...

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)：為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測(cè)試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時(shí)，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時(shí)，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采...