MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開關(guān)電路,MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管可分為NPN型PNP型。...
穩(wěn)壓二極管和普通二極管結(jié)構(gòu)區(qū)別,穩(wěn)壓二極管和普通二極管在結(jié)構(gòu)上也有所不同。穩(wěn)壓二極管一般由三層不同類型的半導(dǎo)體材料組成,即P型半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體和Intrinsic型半導(dǎo)體。這種特殊結(jié)構(gòu)使得穩(wěn)壓二極管在反向電壓超過(guò)其工作電壓時(shí),能夠迅速將反向電流增大,同時(shí)保持...
三極管的種類:1)開關(guān)三極管,利用控制飽和區(qū)、截止區(qū)相互轉(zhuǎn)換而工作的。開關(guān)三極管的開關(guān)需要一定的響應(yīng)時(shí)間,開關(guān)響應(yīng)時(shí)間的長(zhǎng)短表示了三極管開關(guān)特性的好壞。2)差分對(duì)管,把兩只性能一致的三極管封裝在一起,能以較簡(jiǎn)單的方式構(gòu)成性能優(yōu)良的差分放大器;3)復(fù)合三級(jí)管,復(fù)...
MOSFET的特性和作用:MOS管導(dǎo)作用,MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的,由于SiO2絕緣層的存在,在柵極G和源極S之間等效是一個(gè)電容存在,電壓VGS產(chǎn)生電場(chǎng)從而導(dǎo)致源source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在...
作為電氣系統(tǒng)中的基本部件,工程師如何根據(jù)參數(shù)做出正確選擇呢?本文將討論如何通過(guò)四步來(lái)選擇正確的MOSFET。溝道的選擇。為設(shè)計(jì)選擇正確器件的頭一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中,當(dāng)一個(gè)MOSFET接地,而負(fù)載連接到干線電 壓上時(shí),該...
二極管是較常用的電子元件之一,它較大的特性就是單向?qū)щ?,也就是電流只可以從二極管的一個(gè)方向流過(guò),二極管的作用有整流電路,檢波電路,穩(wěn)壓電路,各種調(diào)制電路,主要都是由二極管來(lái)構(gòu)成的,其原理都很簡(jiǎn)單,正是由于二極管等元件的發(fā)明,才有我們現(xiàn) 在豐富多彩的電子信息世界...
PIN二極管,PIN二極管英文名稱為Pin diode,是一種在光通信中普遍使用的光電二極管。它是在P區(qū)和N區(qū)之間夾一層本征半導(dǎo)體(或低濃度雜質(zhì)的半導(dǎo)體)構(gòu)造出來(lái)的一種晶體二極管。PIN中的I是"本征"意義的英文略語(yǔ)。當(dāng)其工作頻率超過(guò)100MHz時(shí),由于少數(shù)載...
三極管放大信號(hào),三極管在放大信號(hào)時(shí),首先要進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài),即要先建立合適的靜態(tài)工作點(diǎn),也叫 建立偏置 ,否則會(huì)放大失真。我們把從基極B流至發(fā)射極E的電流叫做基極電流Ib;把從集電極C流至發(fā)射極E的電流叫做集電極電流Ic。這兩個(gè)電流的方向都是流入發(fā)射極的,所以發(fā)射...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管:截止區(qū):當(dāng) UGS 小于開啟電壓 UGSTH時(shí),MOS 不導(dǎo)通??勺冸娮鑵^(qū):UDS 很小,I_DID 隨UDS 增大而增大。恒流區(qū):UDS 變化,I_DID 變化很小。擊穿區(qū):UDS 達(dá)到一定值時(shí),MOS 被擊穿,I_DID 突然增大,如果沒(méi)有限...
C-MOS場(chǎng)效應(yīng)管(增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管),電路將一個(gè)增強(qiáng)型P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管和一個(gè)增強(qiáng)型N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管組合在一起使用。當(dāng)輸入端為低電平時(shí),P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通,輸出端與電源正極接通。當(dāng)輸入端為高電平時(shí),N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通,輸出端與電源地接通...
組成,F(xiàn)ET由各種半導(dǎo)體構(gòu)成,目前硅是較常見的。大部分的FET是由傳統(tǒng)塊體半導(dǎo)體制造技術(shù)制造,使用單晶半導(dǎo)體硅片作為反應(yīng)區(qū),或者溝道。大部分的不常見體材料,主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶體管中,或者有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的非晶半導(dǎo)體。有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管基于有機(jī)半...
如果GATE相對(duì)于BACKGATE反向偏置,空穴被吸引到表面,channel形成了,因此PMOS管的閾值電壓是負(fù)值。由于NMOS管的閾值電壓是正的,PMOS的閾值電壓是負(fù)的,所以工程師們通常會(huì)去掉閾值電壓前面的符號(hào),一個(gè)工程師可能說(shuō),"PMOS Vt從0.6V...
二極管,(英語(yǔ):Diode),電子元件當(dāng)中,一種具有兩個(gè)電極的裝置,只允許電流由單一方向流過(guò),許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管(Varicap Diode)則用來(lái)當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流(Rectif...
當(dāng)滿足 MOS 管的導(dǎo)通條件時(shí),MOS 管的 D 極和 S 極會(huì)導(dǎo)通,這個(gè)時(shí)候體二極管是截止?fàn)顟B(tài)。因?yàn)?MOS 管導(dǎo)通內(nèi)阻很小,不足以使寄生二極管導(dǎo)通。MOS管的導(dǎo)通條件,PMOS增強(qiáng)型管:UG-US|UGSTH| , UGSTH是開啟電壓;NMOS增強(qiáng)型管:...
在1882年的時(shí)候,他們突然想了一個(gè)辦法,將一片銅片放在燈絲和玻璃之間,以為能阻止燈絲的老化。很遺憾,這個(gè)辦法不行。他們接下來(lái)在這個(gè)銅片上施加一定的電壓希望能夠改善燈絲的壽命,可是這樣做依然無(wú)濟(jì)于事。雖然,提高燈絲壽命的實(shí)驗(yàn)失敗了,但是在這個(gè)過(guò)程中,他們發(fā)現(xiàn)了...
二極管的正向特性,當(dāng)外加正向電壓時(shí),隨著電壓U的逐漸增加,電流I也增加。但在開始的一段,由于外加電壓很低。外電場(chǎng)不能克服PN結(jié)的內(nèi)電場(chǎng),半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子不能順利通過(guò)阻擋層,所以這時(shí)的正向電流極?。ㄔ摱嗡鶎?duì)應(yīng)的電壓稱為死區(qū)電壓,硅管的死區(qū)電壓約為0~0.5伏...
光敏(光電)三極管,光敏三極管的基區(qū)面積比普通三極管大,而發(fā)射區(qū)面積較小。光敏三極管具有對(duì)光電信號(hào)的放大作用,當(dāng)光電信號(hào)從基極(大多數(shù)光窗口即為基極)輸入時(shí),激發(fā)了基區(qū)半導(dǎo)體,產(chǎn)生電子和空穴的運(yùn)動(dòng),從而在發(fā)射區(qū)有空穴的積累,相等于在發(fā)射極施加了正向偏壓,使光敏...
合理的熱設(shè)計(jì)余量,這個(gè)就不多說(shuō)了,各個(gè)企業(yè)都有自己的降額規(guī)范,嚴(yán)格執(zhí)行就可以了,不行就加散熱器。MOSFET發(fā)熱原因分析,做電源設(shè)計(jì),或者做驅(qū)動(dòng)方面的電路,難免要用到MOS管。MOS管有很多種類,也有很多作用。做電源或者驅(qū)動(dòng)的使用,當(dāng)然就是用它的開關(guān)作用。無(wú)論...
三極管顧名思義具有三個(gè)電極。二極管是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的,而三極管由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成,共用的一個(gè)電極成為三極管的基極(用字母B表示——B取自英文Base,基本的、基礎(chǔ)的),其他的兩個(gè)電極分別稱為集電極(用字母C表示——C取自英文Collector,收集)和發(fā)射極(...
三極管的飽和狀態(tài),當(dāng)三極管發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏時(shí),三極管工作在飽和狀態(tài)。在飽和狀態(tài)下,三極管集電極電流ic的大小已經(jīng)不受基極電流ib的控制,ic與ib不再成比例關(guān)系。飽和狀態(tài)下的三極管基極電流ib變大時(shí),集電極電流ic也不會(huì)變大了,這就相當(dāng)于水龍頭的開關(guān)已經(jīng)...
在二極管加上正向電壓(P端接正極,N端接負(fù)極)時(shí),二極管導(dǎo)通,其PN結(jié)有電流通過(guò)。這是因?yàn)樵赑型半導(dǎo)體端為正電壓時(shí),N型半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端,而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運(yùn)動(dòng),從而形成導(dǎo)通電流。同理,當(dāng)二極管加上反向...
印度人賈格迪什·錢德拉·博斯在1894年成為了頭一個(gè)使用晶體檢測(cè)無(wú)線電波的科學(xué)家。他也在厘米和毫米級(jí)別對(duì)微波進(jìn)行了研究 [10] [11] 。1903年,格林里夫·惠特勒·皮卡德( Greenleaf Whittier Pickard )發(fā)明了硅晶檢波器,并在...
點(diǎn)接觸式二極管,點(diǎn)接觸式二極管和下文所述的面接觸式二極管工作原理類似,不過(guò)構(gòu)造較為簡(jiǎn)單。主要結(jié)構(gòu)即為一個(gè)由第三主族金屬制成的導(dǎo)電的頂端,和一塊與其相接觸的N型半導(dǎo)體。一些金屬會(huì)進(jìn)入半導(dǎo)體,接觸面的這一小片區(qū)域就成為了P型半導(dǎo)體。長(zhǎng)期流行的1N34鍺型二極管,目...
什么是三極管?三極管全稱是“晶體三極管”,也被稱作“晶體管”,是一種具有放大功能的半導(dǎo)體器件。通常指本征半導(dǎo)體三極管,即BJT管。典型的三極管由三層半導(dǎo)體材料,有助于連接到外部電路并承載電流的端子組成。施加到晶體管的任何一對(duì)端子的電壓或電流控制通過(guò)另一對(duì)端子的...
三極管,全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種電流控制電流的半導(dǎo)體器件·其作用是把微弱信號(hào)放大成輻值較大的電信號(hào),具有電流放大作用,也用作無(wú)觸點(diǎn)開關(guān),是電子電路的主要元件。三極管的作用:1、放大作用。三極管的單向?qū)щ娦?,使得它很容易把信?hào)放...
什么是三極管?三極管是一種電子元件,也被稱為晶體三極管。它由三個(gè)摻雜不同類型半導(dǎo)體材料制成,主要用于放大電路和開關(guān)電路中。三極管是現(xiàn)代電子技術(shù)中較重要的器件之一,普遍應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。三極管的工作原理:三極管有三個(gè)區(qū)域:基區(qū)、發(fā)射區(qū)和集電區(qū)?;鶇^(qū)和集電區(qū)都...
三極管的 3 種工作狀態(tài),分別是截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)、飽和狀態(tài)。接下給大家講一下這三種狀態(tài)情況:1、截止?fàn)顟B(tài),三極管的截止?fàn)顟B(tài),這應(yīng)該是比較好理解的,當(dāng)三極管的發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏時(shí),三極管就會(huì)進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)。這就相當(dāng)于一個(gè)關(guān)緊了的水龍頭,水龍頭里的水是流不出來(lái)...
什么是三極管?三極管是一種電子元件,也被稱為晶體三極管。它由三個(gè)摻雜不同類型半導(dǎo)體材料制成,主要用于放大電路和開關(guān)電路中。三極管是現(xiàn)代電子技術(shù)中較重要的器件之一,普遍應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。三極管的工作原理:三極管有三個(gè)區(qū)域:基區(qū)、發(fā)射區(qū)和集電區(qū)?;鶇^(qū)和集電區(qū)都...
二極管,(英語(yǔ):Diode),電子元件當(dāng)中,一種具有兩個(gè)電極的裝置,只允許電流由單一方向流過(guò),許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管(Varicap Diode)則用來(lái)當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流(Rectif...
場(chǎng)效應(yīng)管由源極(Source)、漏極(Drain)和柵極(Gate)三個(gè)主要部分組成。在JFET中,柵極和通道之間通過(guò)PN結(jié)隔離;而在MOSFET中,柵極和通道之間由一層絕緣材料(通常是二氧化硅)隔離。當(dāng)在柵極施加適當(dāng)?shù)碾妷簳r(shí),會(huì)在柵極下方的半導(dǎo)體中形成一個(gè)導(dǎo)...