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三極管的飽和狀態(tài)，當三極管發(fā)射結正偏，集電結正偏時，三極管工作在飽和狀態(tài)。在飽和狀態(tài)下，三極管集電極電流ic的大小已經(jīng)不受基極電流ib的控制，ic與ib不再成比例關系。飽和狀態(tài)下的三極管基極電流ib變大時，集電極電流ic也不會變大了，這就相當于水龍頭的開關已經(jīng)...

三極管的功能應用：1、三極管放大電路，三極管是一種電流放大器件，可制成交流或直流信號放大器，由基極輸入一個很小的電流從而控制集電極輸出很大的電流。三極管基極（b）電流較小，且遠小于另兩個引腳的電流；發(fā)射極（e）電流較大（等于集電極電流和基極電流之和）；集電極（...

二極管是什么樣子的？二極管在電路中應用和之前介紹的電阻，電容，電感一樣，非常常見?？梢哉f正是因為半導體材料的發(fā)現(xiàn)和半導體技術的發(fā)展才有我們現(xiàn)今琳瑯滿目的電子產(chǎn)品世界。二極管作為半導體材料較原始的應用，其在電子技術中的地位可想而知。那么它究竟是何方神圣呢？二極管...

MOS管的工作原理，在開關電源中常用MOS管的漏極開路電路，如圖2漏極原封不動地接負載，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負載接多高的電壓，都能夠接通和關斷負載電流。是理想的模擬開關器件。這就是MOS管做開關器件的原理。當然MOS管做開關使用的電路形式比較多了。N...

晶體二極管分類如下：1、點接觸型二極管，點接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過電流法而形成的。因此，其PN結的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結型相比較，點接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流。因為構造...

MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅(qū)動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，后邊再詳細介紹。在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管，在驅(qū)動感性負...

二極管（Diode）具有單向?qū)щ娦?，即只允許電流沿著一個方向流動，而阻擋反向電流流動。二極管是電子電路中較基本的元件之一，普遍應用于各種電子設備中。單向?qū)ㄐ缘膶嶒炚f明：當輸入電源電壓Vi比穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電壓VZ低時，穩(wěn)壓二極管沒有擊穿而處于反向截止區(qū)，此時...

三極管的種類：1）低頻小功率三極管，特征頻率在3MHz以下，功率小于1W，一般作為小信號放大用；2）高頻小功率三極管，特征頻率大于3MHz，功率小于1W，主要用于高頻振蕩、放大電路；3）低頻大功率三極管，特征頻率小于3MHz，功率大于1W，低頻大功率三極管品種...

頻率倍增用二極管，頻率倍增用二極管英文名稱為Frequency doubled diode，對二極管的頻率倍增作用而言，有依靠變?nèi)荻O管的頻率倍增和依靠階躍（即急變）二極管的頻率倍增。頻率倍增用的變?nèi)荻O管稱為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動頻率控制用的變?nèi)荻?..

下面介紹的是三極管工作原理，一起來看看吧。三極管有哪三極？1、NPN型三極管的三極：NPN型三極管，由三塊半導體構成，其中兩塊N型和一塊P型半導體組成，P型半導體在中間，兩塊N型半導體在兩側(cè)。有一個箭頭的電極是發(fā)射極e，箭頭朝外的是NPN型三極管。箭頭方向也表...

二極管是否損壞如何判斷：單負導電性能的檢測及好壞的判斷，通常，鍺材料二極管的正向電阻值為1kΩ左右，反向電阻值為300左右。硅材料二極管的電阻值為5kΩ左右，反向電阻值為（無窮大）。正向電阻越小越好，反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊，說明二極管的單向...

電極，所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個端，分別大致對應BJT的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、...

Drain和backgate之間的PN結反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate，如果GATE電壓超過了閾值電壓，在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel。這個channel就像一薄層短接drain和source的N型硅，由電子組成的電流從...

由于點接觸型二極管金屬絲很細，形成的PN結面積很小，所以極間電容很小，同時，也不能承受高的反向電壓和大的電流。這種類型的管子適于做高頻檢波和脈沖數(shù)字電路里的開關元件，也可用來作小電流整流。如2APl是點接觸型鍺二極管，較大整流電流為16mA，較高工作頻率為15...

用萬用表判斷半導體三極管的極性和類型（用指針式萬用表）：1.判別半導體三極管的c極和e極：確定基極后，對于NPN管，用萬用表兩表筆接三極管另外兩極，交替測量兩次，若兩次測量的結果不相等，則其中測得阻值較小得一次黑筆接的是e極，紅筆接得是c極（若是PNP型管則黑...

二極管的反向特性：當外加反向電壓時，所加的反向電壓加強了內(nèi)電場對多數(shù)載流子的阻擋，所以二極管中幾乎沒有電流通過。但是這時的外電場能促使少數(shù)載流子漂移，所以少數(shù)載流子形成很小的反向電流。由于少數(shù)載流子數(shù)量有限，只要加不大的反向電壓就可以使全部少數(shù)載流子越過PN結...

三極管的功能應用：1、三極管放大電路，三極管是一種電流放大器件，可制成交流或直流信號放大器，由基極輸入一個很小的電流從而控制集電極輸出很大的電流。三極管基極（b）電流較小，且遠小于另兩個引腳的電流；發(fā)射極（e）電流較大（等于集電極電流和基極電流之和）；集電極（...

什么叫二極管？二極管分為哪幾種？二極管的主要參數(shù)有哪些？二極管基礎概念，二極管又稱晶體二極管,簡稱二極管(diode)，另外，還有早期的真空電子二極管；它是一種具有單向傳導電流的電子器件。在半導體二極管內(nèi)部有一個PN結兩個引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方...

三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號， 也用作無觸點開關。晶體三極管，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的主要元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個...

晶體二極管分類如下：1、臺面型二極管，PN結的制作方法雖然與擴散型相同，但是，只保留PN結及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現(xiàn)出臺面形，因而得名。初期生產(chǎn)的臺面型，是對半導體材料使用擴散法而制成的。因此，又把這種臺面型稱為擴散臺面型。...

MOSFET應用案例解析：開關電源應用從定義上而言，這種應用需要MOSFET定期導通和關斷。同時，有數(shù)十種拓撲可用于開關電源，這里考慮一個簡單的例子。DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依靠兩個MOSFET來執(zhí)行開關功能(下圖)，這些開關交替在電感里存儲能量，...

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過...

三極管的構造，三極管有三個區(qū)域，分別被命名為發(fā)射結、基極和集電結。它的基本原理是利用半導體材料中P型和N型材料間的PN結和PNP結的特性來實現(xiàn)信號放大。三極管的白色瓷體上標注著三個觸點，分別為發(fā)射極、基極和集電極。三極管的工作原理，三極管的工作原理很復雜，但可...

穩(wěn)壓二極管和普通二極管電性能區(qū)別，穩(wěn)壓二極管和普通二極管在電性能方面也存在明顯差異。穩(wěn)壓二極管的電性能主要表現(xiàn)在穩(wěn)定的工作電壓、穩(wěn)定的反向阻斷電壓和低動態(tài)電阻等方面。這使得穩(wěn)壓二極管在需要高精度控制電壓的電路中表現(xiàn)出色，如通信設備、電源設備、工業(yè)自動化設備等。...

在近期的工作中，小編接觸到了之前不太熟悉的一種電子元器件——場效應管，在查找相關資料時，經(jīng)常會看到另幾個元器件，比如mos管、二極管、三極管，網(wǎng)上甚至有種說法：場效應管和mos管就是一種東西。這種說法當然是不夠準確的，為了能夠更好地認識這幾種元器件，本文就給大...

半導體二極管的參數(shù)介紹如下：1、反向電流IR：指管子末擊穿時的反向電流， 其值愈小，則管子的單向?qū)щ娦杂?。由于溫度增加，反向電流會急劇增加，所以在使用二極管時要注意溫度的影響。2、正向壓降VD：在規(guī)定的正向電流下，二極管的正向電壓降。小電流硅二極管的正向壓降...

場效應管與晶體管的比較：（1）場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。（2）場效應管是利用多數(shù)載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體...

在汞弧閥（具有冷陰極的汞蒸氣離子閥）中，一種難熔的導電陽極與一池作為陰極的液態(tài)汞之間會形成電弧，電壓單位可達數(shù)百千瓦，這對高壓直流輸電的發(fā)展起到了促進作用。一些小型的熱離子整流器有時候也用汞蒸氣填充，以減少他們的正向壓降并增加這種熱離子強真空器件的電流額定值。...

導電溝道的形成：當vGS數(shù)值較小，吸引電子的能力不強時，漏——源極之間仍無導電溝道出現(xiàn)，如圖1(b)所示。vGS增加時，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當vGS達到某一數(shù)值時，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個N型薄層，且與兩個N+區(qū)相連通，在漏——源極...

組成，F(xiàn)ET由各種半導體構成，目前硅是較常見的。大部分的FET是由傳統(tǒng)塊體半導體制造技術制造，使用單晶半導體硅片作為反應區(qū)，或者溝道。大部分的不常見體材料，主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶體管中，或者有機場效應晶體管中的非晶半導體。有機場效應晶體管基于有機半...