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不同光刻膠類型的適用場(chǎng)景對(duì)比 類型 波長(zhǎng)范圍 分辨率 典型應(yīng)用產(chǎn)品 G線/i線光刻膠 436/365nm ≥1μm PCB、LCD黑色矩陣 吉田半導(dǎo)體JT-100系列 KrF光刻膠 248nm 0.25-1μm 28nm以上芯片、Mini LED制備 吉田半導(dǎo)體YK-300系列 ArF光刻膠 193nm 45nm-0.25μm 14nm及以上芯片、OLED電極圖案化 國(guó)際主流：JSR ARF系列 EUV光刻膠 13.5nm ≤7nm 7nm以下先進(jìn)制程、3D NAND堆疊 研發(fā)中（吉田半導(dǎo)體合作攻關(guān)） 水性光刻膠 全波長(zhǎng)適配 5-5...

“設(shè)備-材料-工藝”閉環(huán)驗(yàn)證 吉田半導(dǎo)體與中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體等晶圓廠建立了聯(lián)合研發(fā)機(jī)制，針對(duì)28nm及以上成熟制程開發(fā)專門使用光刻膠，例如其KrF光刻膠已通過中芯國(guó)際北京廠的產(chǎn)線驗(yàn)證，良率達(dá)95%以上。此外，公司參與國(guó)家重大專項(xiàng)（如02專項(xiàng)），與中科院微電子所合作開發(fā)EUV光刻膠基礎(chǔ)材料，雖未實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，但在酸擴(kuò)散控制和靈敏度優(yōu)化方面取得階段性突破。 政策支持與成本優(yōu)勢(shì) 作為廣東省專精特新企業(yè)，吉田半導(dǎo)體享受稅收優(yōu)惠（如15%企業(yè)所得稅）和研發(fā)補(bǔ)貼（2023年獲得國(guó)家補(bǔ)助超2000萬元），比較明顯降低產(chǎn)品研發(fā)成本。同時(shí)，其本地化生產(chǎn)（東莞松山湖基地）可將物...

研發(fā)投入的“高門檻” 一款KrF光刻膠的研發(fā)費(fèi)用約2億元，而國(guó)際巨頭年研發(fā)投入超10億美元。國(guó)內(nèi)企業(yè)如彤程新材2024年半導(dǎo)體光刻膠業(yè)務(wù)營(yíng)收只5.4億元，研發(fā)投入占比不足15%，難以支撐長(zhǎng)期技術(shù)攻關(guān)。 2. 價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)的“雙重?cái)D壓” 國(guó)內(nèi)PCB光刻膠價(jià)格較國(guó)際低30%，但半導(dǎo)體光刻膠因性能差距，價(jià)格為進(jìn)口產(chǎn)品的70%，而成本卻高出20%。例如，國(guó)產(chǎn)ArF光刻膠售價(jià)約150萬元/噸，而日本同類產(chǎn)品為120萬元/噸，且性能更優(yōu)。 突破路徑與未來展望 原材料國(guó)產(chǎn)化攻堅(jiān)：聚焦樹脂單體合成、光酸純化等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，推動(dòng)八億時(shí)空、...

技術(shù)研發(fā)：從配方到工藝的經(jīng)驗(yàn)壁壘 配方設(shè)計(jì)的“黑箱效應(yīng)” 光刻膠配方涉及成百上千種成分的排列組合，需通過數(shù)萬次實(shí)驗(yàn)優(yōu)化。例如，ArF光刻膠需在193nm波長(zhǎng)下實(shí)現(xiàn)0.1μm分辨率，其光酸產(chǎn)率、熱穩(wěn)定性等參數(shù)需精確匹配光刻機(jī)性能。日本企業(yè)通過數(shù)十年積累形成的配方數(shù)據(jù)庫，國(guó)內(nèi)企業(yè)短期內(nèi)難以突破。 工藝控制的極限挑戰(zhàn) 光刻膠生產(chǎn)需在百級(jí)超凈車間進(jìn)行，金屬離子含量需控制在1ppb以下。國(guó)內(nèi)企業(yè)在“吸附—重結(jié)晶—過濾—干燥”耦合工藝上存在技術(shù)短板，導(dǎo)致產(chǎn)品批次一致性差。例如，恒坤新材的KrF光刻膠雖通過12英寸產(chǎn)線驗(yàn)證，但量產(chǎn)良率較日本同類...

市場(chǎng)拓展 ? 短期目標(biāo)：2025年前實(shí)現(xiàn)LCD光刻膠國(guó)內(nèi)市占率10%，半導(dǎo)體負(fù)性膠進(jìn)入中芯國(guó)際、華虹供應(yīng)鏈，納米壓印膠完成臺(tái)積電驗(yàn)證。 ? 長(zhǎng)期愿景：成為全球的半導(dǎo)體材料方案提供商，2030年芯片光刻膠營(yíng)收占比超40%，布局EUV光刻膠和第三代半導(dǎo)體材料。 . 政策與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同 ? 受益于廣東省“強(qiáng)芯工程”和東莞市10億元半導(dǎo)體材料基金，獲設(shè)備采購(gòu)補(bǔ)貼（30%）和稅收減免，加速KrF/ArF光刻膠研發(fā)。 ? 與松山湖材料實(shí)驗(yàn)室、華為終端建立聯(lián)合研發(fā)中心，共同攻關(guān)光刻膠關(guān)鍵技術(shù)，縮短客戶驗(yàn)證周...

LCD 正性光刻膠（YK-200）應(yīng)用場(chǎng)景：LCD 面板的電極圖案化（如 TFT-LCD 的柵極、源漏極）、彩色濾光片制造。特點(diǎn)：高感光度與均勻涂布性，確保顯示面板的高對(duì)比度和色彩還原度。 厚膜光刻膠（JT-3001）應(yīng)用場(chǎng)景：Mini LED/Micro LED 顯示基板的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)，以及 OLED 面板的封裝工藝。特點(diǎn)：膜厚可控（可達(dá)數(shù)十微米），滿足高密度像素陣列的精細(xì)加工需求。 PCB 光刻膠（如 SU-3 負(fù)性光刻膠）應(yīng)用場(chǎng)景：高多層 PCB、HDI（高密度互連）板的線路成像，以及 IC 載板的精細(xì)線路制作。特點(diǎn)：抗電鍍性能優(yōu)異，支持細(xì)至 50μm 以下的線寬 / 線距，適應(yīng) 5...

厚板光刻膠 電路板制造：在制作對(duì)線路精度和抗蝕刻性能要求高的電路板時(shí)，厚板光刻膠可確保線路的精細(xì)度和穩(wěn)定性，比如汽車電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域的電路板，能承受復(fù)雜環(huán)境和大電流、高電壓等工況。 功率器件制造：像絕緣柵雙極晶體管（IGBT）這類功率器件，需要承受高電壓和大電流，厚板光刻膠可用于其芯片制造過程中的光刻環(huán)節(jié)，保障芯片內(nèi)部電路的精細(xì)布局，提高器件的性能和可靠性。 負(fù)性光刻膠 半導(dǎo)體制造：在芯片制造過程中，用于制作一些對(duì)精度要求高、圖形面積較大的結(jié)構(gòu)，如芯片的金屬互連層、接觸孔等。通過負(fù)性光刻膠的曝光和顯影工藝，能實(shí)現(xiàn)精確的圖形轉(zhuǎn)移，...

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司成立于松山湖經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)，是一家專注于半導(dǎo)體材料研發(fā)、生產(chǎn)與銷售的技術(shù)企業(yè)。公司注冊(cè)資本 2000 萬元，擁有 23 年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，產(chǎn)品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠、半導(dǎo)體錫膏、焊片及靶材等，服務(wù)全球市場(chǎng)并與多家世界 500 強(qiáng)企業(yè)建立長(zhǎng)期合作關(guān)系。 作為國(guó)家技術(shù)企業(yè)，吉田半導(dǎo)體以科技創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng)力，擁有多項(xiàng)技術(shù)，并通過 ISO9001:2008 質(zhì)量體系認(rèn)證。生產(chǎn)過程嚴(yán)格遵循 8S 現(xiàn)場(chǎng)管理標(biāo)準(zhǔn)，原材料均采用美、德、日等國(guó)進(jìn)口的材料，確保產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定可靠。公司配備全自動(dòng)化生產(chǎn)設(shè)備，具備行業(yè)大型的規(guī)?；a(chǎn)能力，致力于成為 “半導(dǎo)體材料方案提...

LCD 正性光刻膠（YK-200）應(yīng)用場(chǎng)景：LCD 面板的電極圖案化（如 TFT-LCD 的柵極、源漏極）、彩色濾光片制造。特點(diǎn)：高感光度與均勻涂布性，確保顯示面板的高對(duì)比度和色彩還原度。 厚膜光刻膠（JT-3001）應(yīng)用場(chǎng)景：Mini LED/Micro LED 顯示基板的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)，以及 OLED 面板的封裝工藝。特點(diǎn)：膜厚可控（可達(dá)數(shù)十微米），滿足高密度像素陣列的精細(xì)加工需求。 PCB 光刻膠（如 SU-3 負(fù)性光刻膠）應(yīng)用場(chǎng)景：高多層 PCB、HDI（高密度互連）板的線路成像，以及 IC 載板的精細(xì)線路制作。特點(diǎn)：抗電鍍性能優(yōu)異，支持細(xì)至 50μm 以下的線寬 / 線距，適應(yīng) 5...

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，各有特性與優(yōu)勢(shì)，適用于不同領(lǐng)域。 厚板光刻膠 JT - 3001：具有優(yōu)異的分辨率和感光度，抗深蝕刻性能良好。符合歐盟 ROHS 標(biāo)準(zhǔn)，保質(zhì)期 1 年，適用于對(duì)光刻精度和抗蝕刻要求較高的厚板加工場(chǎng)景，如一些特殊的電路板制造。 SU - 3 負(fù)性光刻膠：分辨率優(yōu)異，對(duì)比度良好，曝光靈敏度高，光源適應(yīng)。重量為 100g，常用于對(duì)曝光精度和光源適應(yīng)性要求較高的微納加工、半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。 液晶平板顯示器負(fù)性光刻膠 JT - 1000：有 1L 和 100g 兩種規(guī)格，具有優(yōu)異的分辨率，準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性好。主要應(yīng)用于液晶平板顯示器的制造，能...

厚板光刻膠 電路板制造：在制作對(duì)線路精度和抗蝕刻性能要求高的電路板時(shí)，厚板光刻膠可確保線路的精細(xì)度和穩(wěn)定性，比如汽車電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域的電路板，能承受復(fù)雜環(huán)境和大電流、高電壓等工況。 功率器件制造：像絕緣柵雙極晶體管（IGBT）這類功率器件，需要承受高電壓和大電流，厚板光刻膠可用于其芯片制造過程中的光刻環(huán)節(jié)，保障芯片內(nèi)部電路的精細(xì)布局，提高器件的性能和可靠性。 負(fù)性光刻膠 半導(dǎo)體制造：在芯片制造過程中，用于制作一些對(duì)精度要求高、圖形面積較大的結(jié)構(gòu)，如芯片的金屬互連層、接觸孔等。通過負(fù)性光刻膠的曝光和顯影工藝，能實(shí)現(xiàn)精確的圖形轉(zhuǎn)移，...

公司遵循國(guó)際質(zhì)量管理標(biāo)準(zhǔn)，通過 ISO9001:2008 認(rèn)證，并在生產(chǎn)過程中執(zhí)行 8S 現(xiàn)場(chǎng)管理，從原料入庫到成品出庫實(shí)現(xiàn)全流程監(jiān)控。以錫膏產(chǎn)品為例，其無鹵無鉛配方符合環(huán)保要求，同時(shí)具備低飛濺、高潤(rùn)濕性等特點(diǎn)，適用于電子產(chǎn)品組裝。此外，公司建立了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化實(shí)驗(yàn)室，配備先進(jìn)檢測(cè)設(shè)備，確保產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際同類水平。 憑借多年研發(fā)積累，公司形成了覆蓋光刻膠、焊接材料、電子膠等領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品線。在焊接材料方面，不僅提供常規(guī)錫膏、助焊膏，還針對(duì)特殊場(chǎng)景開發(fā)了 BGA 助焊膏、針筒錫膏等定制化產(chǎn)品，滿足精密電子組裝的多樣化需求。同時(shí)，感光膠系列產(chǎn)品分為水性與油性兩類，兼具耐潮性與易操作性，廣...

國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程加速 日本信越化學(xué)因地震導(dǎo)致KrF光刻膠產(chǎn)能受限后，國(guó)內(nèi)企業(yè)加速驗(yàn)證本土產(chǎn)品。鼎龍股份潛江工廠的KrF/ArF產(chǎn)線2024年12月獲兩家大廠百萬大單，二期300噸生產(chǎn)線在建。武漢太紫微的T150A光刻膠性能參數(shù)接近日本UV1610，已通過中芯國(guó)際14nm工藝驗(yàn)證。預(yù)計(jì)到2025年，國(guó)內(nèi)KrF/ArF光刻膠國(guó)產(chǎn)化率將從不足5%提升至10%。 原材料國(guó)產(chǎn)化突破 光刻膠樹脂占成本50%-60%，八億時(shí)空的光刻膠樹脂產(chǎn)線預(yù)計(jì)2025年實(shí)現(xiàn)百噸級(jí)量產(chǎn)，其產(chǎn)品純度達(dá)到99.999%，金屬雜質(zhì)含量低于1ppb。怡達(dá)股份作為全球電子級(jí)PM溶劑前段（市占率超...

差異化競(jìng)爭(zhēng)策略 在高級(jí)市場(chǎng)（如ArF浸沒式光刻膠），吉田半導(dǎo)體采取跟隨式創(chuàng)新，通過優(yōu)化現(xiàn)有配方（如提高酸擴(kuò)散抑制效率）逐步縮小與國(guó)際巨頭的差距；在中低端市場(chǎng)（如PCB光刻膠），則憑借性價(jià)比優(yōu)勢(shì)（價(jià)格較進(jìn)口產(chǎn)品低20%-30%）快速搶占份額，2023年P(guān)CB光刻膠市占率突破10%。 前沿技術(shù)儲(chǔ)備 公司設(shè)立納米材料研發(fā)中心，重點(diǎn)攻關(guān)分子玻璃光刻膠和金屬有機(jī)框架（MOF）光刻膠，目標(biāo)在5年內(nèi)實(shí)現(xiàn)EUV光刻膠的實(shí)驗(yàn)室級(jí)突破。此外，其納米壓印光刻膠已應(yīng)用于3D NAND存儲(chǔ)芯片的孔陣列加工，分辨率達(dá)10nm，為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商提供了替代方案。 聚焦封裝需求，吉田公...

正性光刻膠 半導(dǎo)體分立器件制造：對(duì)于二極管、三極管等半導(dǎo)體分立器件，正性光刻膠可實(shí)現(xiàn)精細(xì)的圖形化加工，滿足不同功能需求。比如在制作高精度的小尺寸分立器件時(shí)，正性光刻膠憑借其高分辨率和良好對(duì)比度，能精確刻畫器件的結(jié)構(gòu)，提高器件性能。 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）制造：MEMS 器件如加速度計(jì)、陀螺儀等，結(jié)構(gòu)復(fù)雜且尺寸微小。正性光刻膠用于 MEMS 制造過程中的光刻步驟，可在硅片等材料上制作出高精度的微結(jié)構(gòu)，確保 MEMS 器件的功能實(shí)現(xiàn)。 吉田半導(dǎo)體：以技術(shù)革新驅(qū)動(dòng)光刻膠產(chǎn)業(yè)升級(jí)。河北激光光刻膠生產(chǎn)廠家聚焦先進(jìn)封裝需求，吉田半導(dǎo)體提供從光刻膠到配套材料的一站式服...

主要優(yōu)勢(shì)：細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同 技術(shù)積累與自主化能力 公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)了從樹脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化。例如，其納米壓印光刻膠通過自主開發(fā)的樹脂體系，分辨率達(dá)3μm，適用于MEMS傳感器、光學(xué)器件等領(lǐng)域，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。 技術(shù)壁壘：掌握光刻膠主要原材料（如樹脂、光酸）的合成技術(shù)，部分原材料純度達(dá)PPT級(jí)，金屬離子含量低于0.1ppb，良率超99%。 產(chǎn)品多元化與技術(shù)化布局 產(chǎn)品線覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導(dǎo)體錫膏等，形成“光刻膠+配套材料”的完整體系。例如：...

LCD 正性光刻膠（YK-200）應(yīng)用場(chǎng)景：LCD 面板的電極圖案化（如 TFT-LCD 的柵極、源漏極）、彩色濾光片制造。特點(diǎn)：高感光度與均勻涂布性，確保顯示面板的高對(duì)比度和色彩還原度。 厚膜光刻膠（JT-3001）應(yīng)用場(chǎng)景：Mini LED/Micro LED 顯示基板的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)，以及 OLED 面板的封裝工藝。特點(diǎn)：膜厚可控（可達(dá)數(shù)十微米），滿足高密度像素陣列的精細(xì)加工需求。 PCB 光刻膠（如 SU-3 負(fù)性光刻膠）應(yīng)用場(chǎng)景：高多層 PCB、HDI（高密度互連）板的線路成像，以及 IC 載板的精細(xì)線路制作。特點(diǎn)：抗電鍍性能優(yōu)異，支持細(xì)至 50μm 以下的線寬 / 線距，適應(yīng) 5...

作為深耕半導(dǎo)體材料領(lǐng)域二十余年的綜合性企業(yè)，廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司始終將技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)品質(zhì)量視為重要發(fā)展動(dòng)力。公司位于東莞松山湖產(chǎn)業(yè)集群，依托區(qū)域產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢(shì)，持續(xù)為全球客戶提供多元化的半導(dǎo)體材料解決方案。 公司產(chǎn)品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠、半導(dǎo)體錫膏、焊片及靶材等，原材料均嚴(yán)格選用美國(guó)、德國(guó)、日本等國(guó)的質(zhì)量進(jìn)口材料。通過全自動(dòng)化生產(chǎn)設(shè)備與精細(xì)化工藝控制，確保每批次產(chǎn)品的穩(wěn)定性與一致性。例如，納米壓印光刻膠采用特殊配方，可耐受 250℃高溫及復(fù)雜化學(xué)環(huán)境，適用于高精度納米結(jié)構(gòu)制造；LCD 光刻膠以高分辨率和穩(wěn)定性，成為顯示面板行業(yè)的推薦材料。 ...

關(guān)鍵工藝流程 涂布： ? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠，厚度控制在0.1-5μm（依制程精度調(diào)整），需均勻無氣泡（旋涂轉(zhuǎn)速500-5000rpm）。 前烘（Soft Bake）： ? 加熱（80-120℃）去除溶劑，固化膠膜，增強(qiáng)附著力（避免顯影時(shí)邊緣剝離）。 曝光： ? 光源匹配： ? G/I線膠：汞燈（適用于≥1μm線寬，如PCB、LCD）。 ? DUV膠（248nm/193nm）：KrF/ArF準(zhǔn)分子激光（用于28nm-1...

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)與客戶認(rèn)證 公司通過ISO9001、ISO14001等認(rèn)證，并嚴(yán)格執(zhí)行8S現(xiàn)場(chǎng)管理，生產(chǎn)環(huán)境潔凈度達(dá)Class 10級(jí)。其光刻膠產(chǎn)品已通過京東方、TCL華星的供應(yīng)商認(rèn)證，在顯示面板領(lǐng)域的市占率約5%，成為本土企業(yè)中少數(shù)能與日本JSR、德國(guó)默克競(jìng)爭(zhēng)的廠商。 全流程可追溯體系 吉田半導(dǎo)體建立了從原材料入庫到成品出庫的全流程追溯系統(tǒng)，關(guān)鍵批次數(shù)據(jù)（如樹脂分子量分布、光敏劑純度）實(shí)時(shí)上傳云端，確保產(chǎn)品一致性和可追溯性。這一體系使其在車規(guī)級(jí)芯片等對(duì)可靠性要求極高的領(lǐng)域獲得突破，2023年車用光刻膠銷售額同比增長(zhǎng)120%。 產(chǎn)業(yè)鏈配套：原材料與設(shè)備協(xié)同發(fā)展。青島制版...

技術(shù)驗(yàn)證周期長(zhǎng) 半導(dǎo)體光刻膠的客戶驗(yàn)證周期通常為2-3年，需經(jīng)歷PRS（性能測(cè)試）、STR（小試）、MSTR（批量驗(yàn)證）等階段。南大光電的ArF光刻膠自2021年啟動(dòng)驗(yàn)證，預(yù)計(jì)2025年才能進(jìn)入穩(wěn)定供貨階段。 原材料依賴仍存 樹脂和光酸仍依賴進(jìn)口，如KrF光刻膠樹脂的單體國(guó)產(chǎn)化率不足10%。國(guó)內(nèi)企業(yè)需在“吸附—重結(jié)晶—過濾—干燥”耦合工藝等關(guān)鍵技術(shù)上持續(xù)突破。 未來技術(shù)路線 ? 金屬氧化物基光刻膠：氧化鋅、氧化錫等材料在EUV光刻中展現(xiàn)出更高分辨率和穩(wěn)定性，清華大學(xué)團(tuán)隊(duì)已實(shí)現(xiàn)5nm線寬的原型驗(yàn)證。 ...

主要優(yōu)勢(shì)：細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同 技術(shù)積累與自主化能力 公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)了從樹脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化。例如，其納米壓印光刻膠通過自主開發(fā)的樹脂體系，分辨率達(dá)3μm，適用于MEMS傳感器、光學(xué)器件等領(lǐng)域，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。 技術(shù)壁壘：掌握光刻膠主要原材料（如樹脂、光酸）的合成技術(shù)，部分原材料純度達(dá)PPT級(jí)，金屬離子含量低于0.1ppb，良率超99%。 產(chǎn)品多元化與技術(shù)化布局 產(chǎn)品線覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導(dǎo)體錫膏等，形成“光刻膠+配套材料”的完整體系。例如：...

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司以光刻膠為中心，逐步拓展至半導(dǎo)體全材料領(lǐng)域，形成了 “技術(shù)驅(qū)動(dòng)、全產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋” 的發(fā)展格局。公司產(chǎn)品不僅包括芯片與 LCD 光刻膠，還延伸至錫膏、焊片、靶材等配套材料，為客戶提供一站式采購(gòu)服務(wù)。 市場(chǎng)與榮譽(yù)： 產(chǎn)品遠(yuǎn)銷全球 50 多個(gè)地區(qū)，客戶包括電子制造服務(wù)商（EMS）及半導(dǎo)體廠商。 獲評(píng) “廣東省專精特新企業(yè)”“廣東省創(chuàng)新型中小企業(yè)”，并通過技術(shù)企業(yè)認(rèn)證。 生產(chǎn)基地配備自動(dòng)化設(shè)備，年產(chǎn)能超千噸，滿足大規(guī)模訂單需求。 未來展望： 公司計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)大研發(fā)中心規(guī)模，聚焦第三代...

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司憑借技術(shù)創(chuàng)新與質(zhì)量?jī)?yōu)勢(shì)，在半導(dǎo)體材料行業(yè)占據(jù)重要地位。公司聚焦光刻膠、電子膠、錫膏等產(chǎn)品，其中納米壓印光刻膠可耐受 250℃高溫及強(qiáng)酸強(qiáng)堿環(huán)境，適用于高精度納米結(jié)構(gòu)制造；LCD 光刻膠以高穩(wěn)定性和精細(xì)度成為顯示面板行業(yè)的推薦材料。此外，公司還提供焊片、靶材等配套材料，滿足客戶多元化需求。 在技術(shù)層面，吉田半導(dǎo)體通過自主研發(fā)與國(guó)際合作結(jié)合，持續(xù)優(yōu)化生產(chǎn)工藝，實(shí)現(xiàn)全流程自動(dòng)化控制。其生產(chǎn)基地配備先進(jìn)設(shè)備，并嚴(yán)格執(zhí)行國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，確保產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際水平。同時(shí)，公司注重人才培養(yǎng)與引進(jìn)，匯聚化工、材料學(xué)等領(lǐng)域的專業(yè)團(tuán)隊(duì)，為技術(shù)創(chuàng)新提供堅(jiān)實(shí)支撐。未來，吉田半導(dǎo)體將繼續(xù)以...

吉田半導(dǎo)體助力區(qū)域經(jīng)濟(jì)，構(gòu)建半導(dǎo)體材料生態(tài)圈，發(fā)揮企業(yè)作用，吉田半導(dǎo)體聯(lián)合上下游資源，推動(dòng)?xùn)|莞松山湖半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新。 作為松山湖產(chǎn)業(yè)集群重要成員，吉田半導(dǎo)體聯(lián)合光刻機(jī)制造商、光電子企業(yè)共建材料生態(tài)圈。公司通過技術(shù)輸出與資源共享，幫助本地企業(yè)提升工藝水平，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新。例如，與華中科技大學(xué)合作研發(fā)的 T150A KrF 光刻膠，極限分辨率 120nm，工藝寬容度優(yōu)于日本信越同類產(chǎn)品，已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并出口東南亞，為區(qū)域經(jīng)濟(jì)發(fā)展注入新動(dòng)能。半導(dǎo)體芯片制造，用于精細(xì)電路圖案光刻，決定芯片性能與集成度。廣州LED光刻膠價(jià)格 光刻膠的工作原理： 1. 涂覆與曝光：在基底（如硅片、玻...

市場(chǎng)與客戶優(yōu)勢(shì)：全球化布局與頭部客戶合作 全球客戶網(wǎng)絡(luò) 產(chǎn)品遠(yuǎn)銷全球，與三星、LG、京東方等世界500強(qiáng)企業(yè)建立長(zhǎng)期合作，在東南亞、北美市場(chǎng)市占率超15%。 區(qū)域市場(chǎng)深耕 依托東莞松山湖產(chǎn)業(yè)集群，與華為、OPPO等本土企業(yè)合作，在消費(fèi)電子、汽車電子領(lǐng)域快速響應(yīng)客戶需求。 產(chǎn)業(yè)鏈配套優(yōu)勢(shì)：原材料與設(shè)備協(xié)同 主要原材料自主化 公司自主生產(chǎn)光刻膠樹脂、光引發(fā)劑，降低對(duì)進(jìn)口依賴，成本較國(guó)際競(jìng)品低20%。 設(shè)備與工藝協(xié)同 與國(guó)內(nèi)涂膠顯影設(shè)備廠商合作，開發(fā)適配國(guó)產(chǎn)...

光刻膠（Photoresist）是一種對(duì)光敏感的高分子材料，主要用于光刻工藝中，通過光化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)圖案的轉(zhuǎn)移，是半導(dǎo)體、集成電路（IC）、印刷電路板（PCB）、液晶顯示（LCD）等制造領(lǐng)域的材料之一。 光刻膠特性與組成 ? 光敏性：在特定波長(zhǎng)（如紫外光、極紫外光EUV等）照射下，會(huì)發(fā)生化學(xué)結(jié)構(gòu)變化（如交聯(lián)或分解），從而改變?cè)陲@影液中的溶解性。 ? 主要成分： ? 樹脂（成膜劑）：形成基礎(chǔ)膜層，決定光刻膠的機(jī)械和化學(xué)性能。 ? 光敏劑：吸收光能并引發(fā)化學(xué)反應(yīng)（如光分解、光交聯(lián)）。 ...

納米制造與表面工程 ? 納米結(jié)構(gòu)模板：作為納米壓印光刻（NIL）的母版制備材料，通過電子束光刻膠寫出高精度納米圖案（如50nm以下的柱陣列、孔陣列），用于批量復(fù)制微流控芯片或柔性顯示基板。 ? 表面功能化：在基底表面構(gòu)建納米級(jí)粗糙度（如仿生荷葉超疏水表面）或化學(xué)圖案（引導(dǎo)細(xì)胞定向生長(zhǎng)的納米溝槽），用于生物醫(yī)學(xué)或能源材料（如電池電極的納米陣列結(jié)構(gòu)）。 量子技術(shù)與精密測(cè)量 ? 超導(dǎo)量子比特：在鈮酸鋰或硅基底上，通過光刻膠定義納米級(jí)約瑟夫森結(jié)陣列，構(gòu)建量子電路。 ? 納米傳感器：制備納米級(jí)懸臂梁（表面鍍光刻膠圖案化的金...

定義與特性 正性光刻膠是一種在曝光后，曝光區(qū)域會(huì)溶解于顯影液的光敏材料，形成與掩膜版（Mask）圖案一致的圖形。與負(fù)性光刻膠（未曝光區(qū)域溶解）相比，其優(yōu)勢(shì)是分辨率高、圖案邊緣清晰，是半導(dǎo)體制造（尤其是制程）的主流選擇。 化學(xué)組成與工作原理 主要成分 ? 樹脂（成膜劑）： ? 傳統(tǒng)正性膠：采用**酚醛樹脂（Novolak）與重氮萘醌（DNQ，光敏劑）**的復(fù)合體系（PAC體系），占比約80%-90%。 ? 化學(xué)增幅型（用于DUV/EUV）：含環(huán)化烯烴樹脂或含氟聚合物，搭配...

全品類覆蓋與定制化能力 吉田半導(dǎo)體的光刻膠產(chǎn)品覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠等全品類，適用于半導(dǎo)體、顯示面板、MEMS等多個(gè)領(lǐng)域。例如，其LCD正性光刻膠YK-200和水油光刻膠JT-2001可滿足0.45μm及以上線寬需求，支持客戶定制化工藝參數(shù)，尤其在柔性顯示（OLED）和Mini/Micro LED等新興領(lǐng)域表現(xiàn)突出。 技術(shù)亮點(diǎn)：通過自主研發(fā)的樹脂配方和光敏劑體系，實(shí)現(xiàn)了高分辨率（120nm）和高抗蝕性的平衡，部分指標(biāo)（如線寬粗糙度LWR<3nm）接近國(guó)際主流產(chǎn)品水平。 國(guó)產(chǎn)化材料與工藝適配 公司采用進(jìn)口原材料+本地化生產(chǎn)模...