產(chǎn)品特點(diǎn):耐溶劑型優(yōu)良,抗潮耐水性好,耐印率高;固含量高,流平性好,涂布性能優(yōu)良;經(jīng)特殊乳化聚合技術(shù)處理,網(wǎng)版平滑、無白點(diǎn)、無沙眼、亮度高;剝膜性好,網(wǎng)版可再生使用;解像性、高架橋性好,易做精細(xì)網(wǎng)點(diǎn)和線條;感光度高,曝光時(shí)間短,曝光寬容度大,節(jié)省網(wǎng)版作業(yè)時(shí)間,提高工作效率 。 應(yīng)用范圍:適用于塑料、皮革、標(biāo)牌、印刷電路板(PCB)、廣告宣傳、玻璃、陶瓷、紡織品等產(chǎn)品的印刷。例如在塑料表面形成牢固圖案,滿足皮革制品精細(xì)印刷需求,制作各類標(biāo)牌保證圖案清晰,用于 PCB 制造滿足高精度要求等。 負(fù)性光刻膠生產(chǎn)廠家。湖南LCD光刻膠 客戶認(rèn)證:從實(shí)驗(yàn)室到產(chǎn)線的漫長“闖關(guān)”...
市場拓展 ? 短期目標(biāo):2025年前實(shí)現(xiàn)LCD光刻膠國內(nèi)市占率10%,半導(dǎo)體負(fù)性膠進(jìn)入中芯國際、華虹供應(yīng)鏈,納米壓印膠完成臺(tái)積電驗(yàn)證。 ? 長期愿景:成為全球的半導(dǎo)體材料方案提供商,2030年芯片光刻膠營收占比超40%,布局EUV光刻膠和第三代半導(dǎo)體材料。 . 政策與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同 ? 受益于廣東省“強(qiáng)芯工程”和東莞市10億元半導(dǎo)體材料基金,獲設(shè)備采購補(bǔ)貼(30%)和稅收減免,加速KrF/ArF光刻膠研發(fā)。 ? 與松山湖材料實(shí)驗(yàn)室、華為終端建立聯(lián)合研發(fā)中心,共同攻關(guān)光刻膠關(guān)鍵技術(shù),縮短客戶驗(yàn)證周...
不同光刻膠類型的適用場景對比 類型 波長范圍 分辨率 典型應(yīng)用產(chǎn)品 G線/i線光刻膠 436/365nm ≥1μm PCB、LCD黑色矩陣 吉田半導(dǎo)體JT-100系列 KrF光刻膠 248nm 0.25-1μm 28nm以上芯片、Mini LED制備 吉田半導(dǎo)體YK-300系列 ArF光刻膠 193nm 45nm-0.25μm 14nm及以上芯片、OLED電極圖案化 國際主流:JSR ARF系列 EUV光刻膠 13.5nm ≤7nm 7nm以下先進(jìn)制程、3D NAND堆疊 研發(fā)中(吉田半導(dǎo)體合作攻關(guān)) 水性光刻膠 全波長適配 5-5...
厚板光刻膠 電路板制造:在制作對線路精度和抗蝕刻性能要求高的電路板時(shí),厚板光刻膠可確保線路的精細(xì)度和穩(wěn)定性,比如汽車電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域的電路板,能承受復(fù)雜環(huán)境和大電流、高電壓等工況。 功率器件制造:像絕緣柵雙極晶體管(IGBT)這類功率器件,需要承受高電壓和大電流,厚板光刻膠可用于其芯片制造過程中的光刻環(huán)節(jié),保障芯片內(nèi)部電路的精細(xì)布局,提高器件的性能和可靠性。 負(fù)性光刻膠 半導(dǎo)體制造:在芯片制造過程中,用于制作一些對精度要求高、圖形面積較大的結(jié)構(gòu),如芯片的金屬互連層、接觸孔等。通過負(fù)性光刻膠的曝光和顯影工藝,能實(shí)現(xiàn)精確的圖形轉(zhuǎn)移,...
工藝流程 ? 目的:去除基板表面油污、顆粒,增強(qiáng)感光膠附著力。 ? 方法: ? 化學(xué)清洗(硫酸/雙氧水、去離子水); ? 表面處理(硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化,PCB基板用粗化處理)。 涂布(Coating) ? 方式: ? 旋涂:半導(dǎo)體/顯示領(lǐng)域,厚度控制精確(納米至微米級(jí)),轉(zhuǎn)速500-5000rpm; ? 噴涂/輥涂:PCB/MEMS領(lǐng)域,適合大面積或厚膠(微米至百微米級(jí),如負(fù)性膠可達(dá)100μm)。 ...
光刻膠的納米級(jí)性能要求 超高分辨率:需承受電子束(10keV以上)或EUV(13.5nm波長)的轟擊,避免散射導(dǎo)致的邊緣模糊,目前商用EUV膠分辨率已達(dá)13nm(3nm制程)。 低缺陷率:納米級(jí)結(jié)構(gòu)對膠層中的顆?;蚧瘜W(xué)不均性極其敏感,需通過化學(xué)增幅型配方(如酸催化交聯(lián))提升對比度和抗刻蝕性。 多功能性:兼容多種基底(柔性聚合物、陶瓷)和后處理工藝(干法刻蝕、原子層沉積),例如用于柔性電子的可拉伸光刻膠。 技術(shù)挑戰(zhàn)與前沿方向 ? EUV光刻膠優(yōu)化:解決曝光后酸擴(kuò)散導(dǎo)致的線寬波動(dòng),開發(fā)含氟聚合物或金屬有機(jī)材料以提高靈敏...
國際廠商策略調(diào)整 應(yīng)用材料公司獲曝光后處理,可將光刻膠工藝效率提升40%。杜邦因反壟斷調(diào)查在中國市場面臨壓力,但其新一代乾膜式感光型介電質(zhì)材料(CYCLOTENE DF6000 PID)仍在推進(jìn),試圖通過差異化技術(shù)維持優(yōu)勢。日本企業(yè)則通過技術(shù)授權(quán)(如東京應(yīng)化填補(bǔ)信越產(chǎn)能缺口)維持市場地位。 國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同升級(jí) TSMC通過租賃曝光設(shè)備幫助供應(yīng)商降低成本,推動(dòng)光刻膠供應(yīng)鏈本地化,其中國臺(tái)灣EUV光刻膠工廠年產(chǎn)能達(dá)1000瓶,產(chǎn)值超10億新臺(tái)幣。國內(nèi)企業(yè)借鑒此模式,如恒坤新材通過科創(chuàng)板IPO募資15億元,建設(shè)集成電路前驅(qū)體項(xiàng)目,形成“光刻膠-前驅(qū)體-設(shè)備”...
差異化競爭策略 在高級(jí)市場(如ArF浸沒式光刻膠),吉田半導(dǎo)體采取跟隨式創(chuàng)新,通過優(yōu)化現(xiàn)有配方(如提高酸擴(kuò)散抑制效率)逐步縮小與國際巨頭的差距;在中低端市場(如PCB光刻膠),則憑借性價(jià)比優(yōu)勢(價(jià)格較進(jìn)口產(chǎn)品低20%-30%)快速搶占份額,2023年P(guān)CB光刻膠市占率突破10%。 前沿技術(shù)儲(chǔ)備 公司設(shè)立納米材料研發(fā)中心,重點(diǎn)攻關(guān)分子玻璃光刻膠和金屬有機(jī)框架(MOF)光刻膠,目標(biāo)在5年內(nèi)實(shí)現(xiàn)EUV光刻膠的實(shí)驗(yàn)室級(jí)突破。此外,其納米壓印光刻膠已應(yīng)用于3D NAND存儲(chǔ)芯片的孔陣列加工,分辨率達(dá)10nm,為國產(chǎn)存儲(chǔ)廠商提供了替代方案。 松山湖光刻膠廠家吉田...
以無鹵無鉛配方與低 VOC 工藝為,吉田半導(dǎo)體打造環(huán)保光刻膠,助力電子產(chǎn)業(yè)低碳轉(zhuǎn)型。面對全球環(huán)保趨勢,吉田半導(dǎo)體推出無鹵無鉛錫膏與焊片,通過歐盟 RoHS 認(rèn)證,焊接可靠性提升 30%。其 LCD 光刻膠采用低 VOC 配方(<50g/L),符合歐盟 REACH 法規(guī),生產(chǎn)過程中通過多級(jí)廢氣處理與水循環(huán)系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)零排放。公司嚴(yán)格執(zhí)行 8S 現(xiàn)場管理,工業(yè)固廢循環(huán)利用率超 90%,為新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等領(lǐng)域提供綠色材料解決方案,成為全球客戶信賴的環(huán)保材料供應(yīng)商。自研自產(chǎn)的光刻膠廠家。東莞制版光刻膠供應(yīng)商 廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,各有特性與優(yōu)勢,適用于不同領(lǐng)域。 LCD...
吉田半導(dǎo)體的光刻膠產(chǎn)品覆蓋芯片制造、顯示面板、PCB 及微納加工等領(lǐng)域,通過差異化技術(shù)(如納米壓印、厚膜工藝)和環(huán)保特性(水性配方),滿足從傳統(tǒng)電子到新興領(lǐng)域(如第三代半導(dǎo)體、Mini LED)的多樣化需求。其產(chǎn)品不僅支持高精度、高可靠性的制造工藝,還通過材料創(chuàng)新推動(dòng)行業(yè)向綠色化、低成本化方向發(fā)展。吉田半導(dǎo)體光刻膠的優(yōu)勢在于技術(shù)全面性、環(huán)保創(chuàng)新、質(zhì)量穩(wěn)定性及本土化服務(wù),尤其在納米壓印、厚膜工藝及水性膠領(lǐng)域形成差異化競爭力。 吉田半導(dǎo)體強(qiáng)化研發(fā),布局下一代光刻技術(shù)。青海PCB光刻膠供應(yīng)商 感光機(jī)制 ? 重氮型(雙液型):需混合光敏劑(如二疊氮二苯乙烯二磺酸鈉),曝光后通過...
晶圓制造(前道工藝) ? 功能:在硅片表面形成高精度電路圖形,是光刻工藝的主要材料。 ? 細(xì)分場景: ? 邏輯/存儲(chǔ)芯片:用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻膠(分辨率0.25-1μm)、14nm以下先進(jìn)制程的ArF浸沒式光刻膠(分辨率≤45nm),以及極紫外(EUV)光刻膠(目標(biāo)7nm以下,研發(fā)中)。 ? 功率半導(dǎo)體(如IGBT):使用厚膜光刻膠(膜厚5-50μm),滿足深溝槽刻蝕需求。 ? MEMS傳感器:通過高深寬比光刻膠(如SU-8)實(shí)現(xiàn)微米級(jí)結(jié)構(gòu)(如加速度計(jì)、陀螺儀的懸臂梁)。 ...
半導(dǎo)體集成電路 ? 應(yīng)用場景: ? 晶圓制造:正性膠為主(如ArF/EUV膠),實(shí)現(xiàn)20nm以下線寬,用于晶體管柵極、接觸孔等精細(xì)結(jié)構(gòu); ? 封裝工藝:負(fù)性膠用于凸點(diǎn)(Bump)制造,厚膠(5-50μm)耐電鍍?nèi)芤焊g。 ? 關(guān)鍵要求:高分辨率、低缺陷率、耐極端工藝(如150℃以上高溫、等離子體轟擊)。 印刷電路板(PCB) ? 應(yīng)用場景: ? 線路成像:負(fù)性膠(如環(huán)化橡膠膠)用于雙面板/多層板外層線路,線寬≥50μm,耐堿性蝕刻液(如氯化銅); ? 阻焊層:...
納米電子器件制造 ? 半導(dǎo)體芯片:在22nm以下制程中,EUV光刻膠(分辨率≤10nm)用于制備晶體管柵極、納米導(dǎo)線等關(guān)鍵結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)芯片集成度提升(如3nm制程的FinFET/GAA晶體管)。 ? 二維材料器件:在石墨烯、二硫化鉬等二維材料表面,通過電子束光刻膠定義納米電極陣列,構(gòu)建單原子層晶體管或傳感器。 納米光子學(xué)與超材料 ? 光子晶體與波導(dǎo):利用光刻膠制備亞波長周期結(jié)構(gòu)(如光子晶體光纖、納米級(jí)波導(dǎo)彎頭),調(diào)控光的傳播路徑,用于集成光路或量子光學(xué)器件。 ? 超材料設(shè)計(jì):在金屬/介質(zhì)基底上刻蝕納米級(jí)“魚網(wǎng)狀...
上游原材料: ? 樹脂:彤程新材、鼎龍股份實(shí)現(xiàn)KrF/ArF光刻膠樹脂自主合成,金屬雜質(zhì)含量<5ppb(國際標(biāo)準(zhǔn)<10ppb)。 ? 光引發(fā)劑:久日新材攻克EUV光刻膠原料光致產(chǎn)酸劑,累計(jì)形成噸級(jí)訂單;威邁芯材合肥基地建成100噸/年ArF/KrF光刻膠主材料產(chǎn)線。 ? 溶劑:怡達(dá)股份電子級(jí)PM溶劑全球市占率超40%,與南大光電合作開發(fā)配套溶劑,技術(shù)指標(biāo)達(dá)SEMI G5標(biāo)準(zhǔn)。 設(shè)備與驗(yàn)證: ? 上海新陽與上海微電子聯(lián)合開發(fā)光刻機(jī)適配參數(shù),驗(yàn)證周期較國際廠商縮短6個(gè)月;徐州博康實(shí)現(xiàn)“單體-樹脂...
? 化學(xué)反應(yīng): ? 正性膠:曝光后光敏劑(如重氮醌DQN)分解,生成羧酸,在堿性顯影液中溶解; ? 負(fù)性膠:曝光后光敏劑引發(fā)交聯(lián)劑與樹脂形成不溶性網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。 5. 顯影(Development) ? 顯影液: ? 正性膠:堿性水溶液(如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH),溶解曝光區(qū)域; ? 負(fù)性膠:有機(jī)溶劑(如二甲苯、醋酸丁酯),溶解未曝光區(qū)域。 ? 方法:噴淋顯影(PCB)或沉浸式顯影(半導(dǎo)體),時(shí)間30秒-2分鐘,需控制顯影液濃度和溫度。 ...
光伏電池(半導(dǎo)體級(jí)延伸) ? HJT/TOPCon電池:在硅片表面圖形化金屬電極,使用高靈敏度光刻膠(曝光能量≤50mJ/cm2),線寬≤20μm,降低遮光損失。 ? 鈣鈦礦電池:用于電極圖案化和層間隔離,需耐有機(jī)溶劑(適應(yīng)溶液涂布工藝)。 納米壓印技術(shù)(下一代光刻) ? 納米壓印光刻膠:通過模具壓印實(shí)現(xiàn)10nm級(jí)分辨率,用于3D NAND存儲(chǔ)孔陣列(直徑≤20nm)、量子點(diǎn)顯示陣列等。 微流控與生物醫(yī)療 ? 微流控芯片:制造微米級(jí)流道(寬度10-100μm),材料需生物相容性(如PDMS...
國際廠商策略調(diào)整 應(yīng)用材料公司獲曝光后處理,可將光刻膠工藝效率提升40%。杜邦因反壟斷調(diào)查在中國市場面臨壓力,但其新一代乾膜式感光型介電質(zhì)材料(CYCLOTENE DF6000 PID)仍在推進(jìn),試圖通過差異化技術(shù)維持優(yōu)勢。日本企業(yè)則通過技術(shù)授權(quán)(如東京應(yīng)化填補(bǔ)信越產(chǎn)能缺口)維持市場地位。 國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同升級(jí) TSMC通過租賃曝光設(shè)備幫助供應(yīng)商降低成本,推動(dòng)光刻膠供應(yīng)鏈本地化,其中國臺(tái)灣EUV光刻膠工廠年產(chǎn)能達(dá)1000瓶,產(chǎn)值超10億新臺(tái)幣。國內(nèi)企業(yè)借鑒此模式,如恒坤新材通過科創(chuàng)板IPO募資15億元,建設(shè)集成電路前驅(qū)體項(xiàng)目,形成“光刻膠-前驅(qū)體-設(shè)備”...
吉田半導(dǎo)體 YK-300 正性光刻膠:半導(dǎo)體芯片制造的材料 YK-300 正性光刻膠以高分辨率與耐蝕刻性,成為 45nm 及以上制程的理想選擇。 YK-300 正性光刻膠分辨率達(dá) 0.35μm,線寬粗糙度(LWR)≤3nm,適用于半導(dǎo)體芯片前道工藝。其耐溶劑性與絕緣阻抗性能突出,在顯影與蝕刻過程中保持圖形穩(wěn)定性。產(chǎn)品已通過中芯國際量產(chǎn)驗(yàn)證,良率達(dá) 98% 以上,生產(chǎn)過程執(zhí)行 ISO9001 標(biāo)準(zhǔn),幫助客戶降低封裝成本 20% 以上。支持小批量試產(chǎn)與定制化需求,為國產(chǎn)芯片制造提供穩(wěn)定材料支撐。 光刻膠廠家推薦吉田半導(dǎo)體,23 年專注研發(fā),全系列產(chǎn)品覆蓋芯片制造與 LCD 面板!天津...
作為深耕半導(dǎo)體材料領(lǐng)域二十余年的綜合性企業(yè),廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司始終將環(huán)保理念融入產(chǎn)品研發(fā)與生產(chǎn)全流程。公司位于東莞松山湖產(chǎn)業(yè)集群,依托區(qū)域產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢,持續(xù)推出符合國際環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體材料解決方案。 公司在錫膏、焊片等產(chǎn)品中采用無鹵無鉛配方,嚴(yán)格遵循 RoHS 指令要求,避免使用有害物質(zhì)。以錫膏為例,其零鹵素配方通過第三方機(jī)構(gòu)認(rèn)證,不僅減少了電子產(chǎn)品廢棄后的環(huán)境負(fù)擔(dān),還提升了焊接可靠性,適用于新能源汽車、精密電子設(shè)備等領(lǐng)域。同時(shí),納米壓印光刻膠與 LCD 光刻膠的生產(chǎn)過程中,公司通過優(yōu)化原料配比,減少揮發(fā)性有機(jī)物(VOCs)排放,確保產(chǎn)品符合歐盟 REACH 法規(guī)...
國家大基金三期:注冊資本3440億元,明確將光刻膠列為重點(diǎn)投資領(lǐng)域,計(jì)劃投入超500億元支持樹脂、光引發(fā)劑等原料研發(fā),相當(dāng)于前兩期投入總和的3倍。 地方專項(xiàng)政策:湖北省對通過驗(yàn)證的光刻膠企業(yè)給予設(shè)備采購補(bǔ)貼+稅收減免,武漢太紫微憑借全流程國產(chǎn)化技術(shù)獲中芯國際百萬級(jí)訂單;福建省提出2030年化工新材料自給率達(dá)90%,光刻膠是重點(diǎn)突破方向。 研發(fā)專項(xiàng):科技部“雙十計(jì)劃”設(shè)立20億元經(jīng)費(fèi),要求2025年KrF/ArF光刻膠國產(chǎn)化率突破10%,并啟動(dòng)EUV光刻膠預(yù)研。 光刻膠廠家推薦吉田半導(dǎo)體,23 年專注研發(fā),全系列產(chǎn)品覆蓋芯片制造與 LCD 面板!四川阻...
技術(shù)優(yōu)勢:23年研發(fā)沉淀與細(xì)分領(lǐng)域突破 全流程自主化能力 吉田在光刻膠研發(fā)中實(shí)現(xiàn)了從樹脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化。例如,其納米壓印光刻膠通過自主開發(fā)的樹脂體系,實(shí)現(xiàn)了3μm的分辨率,適用于MEMS傳感器、光學(xué)器件等領(lǐng)域。 技術(shù)壁壘:公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗(yàn),掌握光刻膠主要原材料(如樹脂、光酸)的合成技術(shù),部分原材料純度達(dá)PPT級(jí)。 細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)先進(jìn) ? 納米壓印光刻膠:在納米級(jí)圖案化領(lǐng)域(如量子點(diǎn)顯示、生物芯片)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破,分辨率達(dá)3μm,填補(bǔ)國內(nèi)空缺。 ? LCD光...
吉田半導(dǎo)體 JT-3001 厚板光刻膠:歐盟 RoHS 認(rèn)證,PCB 電路板制造 憑借抗深蝕刻性能與環(huán)保特性,吉田 JT-3001 厚板光刻膠成為 PCB 行業(yè)材料。 吉田半導(dǎo)體推出的 JT-3001 厚板光刻膠,分辨率達(dá) 1.5μm,抗深蝕刻速率 > 500nm/min,適用于高密度電路板制造。產(chǎn)品通過歐盟 RoHS 認(rèn)證,采用無鹵無鉛配方,符合環(huán)保要求。其優(yōu)異的感光度與留膜率,確保復(fù)雜線路圖形的成型,已應(yīng)用于華為 5G 基站主板量產(chǎn)。公司提供從材料選型到工藝優(yōu)化的全流程支持,助力客戶提升生產(chǎn)效率與良率。 半導(dǎo)體材料選吉田,歐盟認(rèn)證,支持定制化解決方案!遼寧阻焊油墨光刻膠價(jià)格 ...
生產(chǎn)設(shè)備與工藝:從設(shè)計(jì)到制造的“木桶效應(yīng)” 前端設(shè)備的進(jìn)口依賴 光刻膠生產(chǎn)所需的超臨界流體萃取設(shè)備、納米砂磨機(jī)等關(guān)鍵裝備被德國耐馳、日本光洋等企業(yè)壟斷。國內(nèi)企業(yè)如拓帕實(shí)業(yè)雖推出砂磨機(jī)產(chǎn)品,但在研磨精度(如納米級(jí)顆粒分散)上仍落后于國際水平。 工藝集成的系統(tǒng)性短板 光刻膠生產(chǎn)涉及精密混合、過濾、包裝等環(huán)節(jié),需全流程數(shù)字化控制。國內(nèi)企業(yè)因缺乏MES(制造執(zhí)行系統(tǒng))等智能管理工具,導(dǎo)致批次一致性波動(dòng)。例如,鼎龍股份潛江工廠的KrF光刻膠產(chǎn)線雖實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化,但工藝參數(shù)波動(dòng)仍較日本同類產(chǎn)線高約10%。 光刻...
客戶認(rèn)證:從實(shí)驗(yàn)室到產(chǎn)線的漫長“闖關(guān)” 驗(yàn)證周期與試錯(cuò)成本 半導(dǎo)體光刻膠需經(jīng)歷PRS(性能測試)、STR(小試)、MSTR(中批量驗(yàn)證)等階段,周期長達(dá)2-3年。南大光電的ArF光刻膠自2021年啟動(dòng)驗(yàn)證,直至2025年才通過客戶50nm閃存平臺(tái)認(rèn)證。試錯(cuò)成本極高,單次晶圓測試費(fèi)用超百萬元,且客戶為維持產(chǎn)線穩(wěn)定,通常不愿更換供應(yīng)商。 設(shè)備與工藝的協(xié)同難題 光刻膠需與光刻機(jī)、涂膠顯影機(jī)等設(shè)備高度匹配。國內(nèi)企業(yè)因缺乏ASML EUV光刻機(jī)測試資源,只能依賴二手設(shè)備或與晶圓廠合作驗(yàn)證,導(dǎo)致研發(fā)效率低下。例如,華中科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)開發(fā)的EUV光刻膠因無法...
先進(jìn)制程瓶頸突破 KrF/ArF光刻膠的量產(chǎn)能力提升直接推動(dòng)7nm及以下制程的國產(chǎn)化進(jìn)程。例如,恒坤新材的KrF光刻膠已批量供應(yīng)12英寸產(chǎn)線,覆蓋7nm工藝,其工藝寬容度較日本同類型產(chǎn)品提升30%。這使得國內(nèi)晶圓廠(如中芯國際)在DUV多重曝光技術(shù)下,能夠以更低成本實(shí)現(xiàn)接近EUV的制程效果,緩解了EUV光刻機(jī)禁運(yùn)的壓力。此外,武漢太紫微的T150A光刻膠通過120nm分辨率驗(yàn)證,為28nm成熟制程的成本優(yōu)化提供了新方案。 EUV光刻膠研發(fā)加速 盡管EUV光刻膠目前完全依賴進(jìn)口,但國內(nèi)企業(yè)已啟動(dòng)關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。久日新材的光致產(chǎn)酸劑實(shí)現(xiàn)噸級(jí)訂單,科技部“十四五”專...
人才與生態(tài):跨學(xué)科團(tuán)隊(duì)的“青黃不接” 前段人才的結(jié)構(gòu)性短缺 光刻膠研發(fā)需材料化學(xué)、半導(dǎo)體工藝、分析檢測等多領(lǐng)域。國內(nèi)高校相關(guān)專業(yè)畢業(yè)生30%進(jìn)入光刻膠行業(yè),且缺乏具有10年以上經(jīng)驗(yàn)的工程師。日本企業(yè)通過“技術(shù)導(dǎo)師制”培養(yǎng)人才,而國內(nèi)企業(yè)多依賴“挖角”,導(dǎo)致技術(shù)傳承斷裂。 產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同的“孤島效應(yīng)” 光刻膠研發(fā)需與晶圓廠、設(shè)備商、檢測機(jī)構(gòu)深度協(xié)同。國內(nèi)企業(yè)因信息不對稱,常出現(xiàn)“材料性能與工藝需求不匹配”問題。例如,某國產(chǎn)KrF光刻膠因未考慮客戶產(chǎn)線的顯影液參數(shù),導(dǎo)致良率損失20%。 光刻膠新興及擴(kuò)展應(yīng)用。內(nèi)蒙古負(fù)性光刻膠價(jià)格...
光刻膠系列: 厚板光刻膠 JT - 3001,具備優(yōu)異分辨率、感光度和抗深蝕刻性能,符合歐盟 ROHS 標(biāo)準(zhǔn),保質(zhì)期 1 年; 水油光刻膠 SR - 3308,容量 5L;SU - 3 負(fù)性光刻膠,分辨率優(yōu)異,對比度良好,曝光靈敏度高,光源適應(yīng),重量 100g; 液晶平板顯示器負(fù)性光刻膠 JT - 1000,有 1L 裝和 100g 裝兩種規(guī)格,分辨率高,準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性好; JT - 2000 UV 納米壓印光刻膠,耐強(qiáng)酸強(qiáng)堿,耐高溫達(dá) 250°C,長期可靠性高,粘接強(qiáng)度高,重量 100g; LCD 正性光刻膠 YK - 200,具有較大曝光、高分辨率、良好涂...
憑借綠色產(chǎn)品與可持續(xù)生產(chǎn)模式,吉田半導(dǎo)體的材料遠(yuǎn)銷全球,并與多家跨國企業(yè)建立長期合作。其環(huán)保焊片與靶材被廣泛應(yīng)用于光伏、儲(chǔ)能等清潔能源領(lǐng)域,助力客戶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品全生命周期的環(huán)境友好。公司通過導(dǎo)入國際標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證(如 ISO14001 環(huán)境管理體系),進(jìn)一步強(qiáng)化了在環(huán)保領(lǐng)域的競爭力。 未來,廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司將繼續(xù)以技術(shù)創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng),深化綠色制造戰(zhàn)略,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的低碳化、可持續(xù)發(fā)展貢獻(xiàn)力量。以品質(zhì)為依托,深化全球化布局,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入持續(xù)動(dòng)力。 光刻膠廠家推薦吉田半導(dǎo)體。常州3微米光刻膠感光膠 市場與客戶優(yōu)勢:全球化布局與頭部客戶合作 全球客戶網(wǎng)絡(luò) ...
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司以全球化視野布局市場,通過嚴(yán)格的質(zhì)量管控與完善的服務(wù)體系贏得客戶信賴。公司產(chǎn)品不僅通過 ISO9001 認(rèn)證,更以進(jìn)口原材料和精細(xì)化生產(chǎn)流程保障品質(zhì),例如錫膏產(chǎn)品采用無鹵無鉛配方,符合環(huán)保要求,適用于電子產(chǎn)品制造。其銷售網(wǎng)絡(luò)覆蓋全球,與富士康、聯(lián)想等企業(yè)保持長期合作,并在全國重點(diǎn)區(qū)域設(shè)立辦事處,提供本地化技術(shù)支持與售后服務(wù)。 作為廣東省創(chuàng)新型中小企業(yè),吉田半導(dǎo)體始終將技術(shù)研發(fā)視為核心競爭力。公司投入大量資源開發(fā)新型光刻膠及焊接材料,例如 BGA 助焊膏和針筒錫膏,滿足精密電子組裝的需求。同時(shí),依托東莞 “世界工廠” 的產(chǎn)業(yè)集群優(yōu)勢,公司強(qiáng)化供應(yīng)鏈協(xié)同,縮短...
吉田半導(dǎo)體水性感光膠 JT-1200:水油兼容,鋼片加工精度 ±5μm JT-1200 水性感光膠解決鋼片加工難題,提升汽車電子部件制造精度。 針對汽車電子鋼片加工需求,吉田半導(dǎo)體研發(fā)的 JT-1200 水性感光膠實(shí)現(xiàn)水油兼容性達(dá) 100%,加工精度 ±5μm。其高粘接強(qiáng)度與耐強(qiáng)酸強(qiáng)堿特性,確保復(fù)雜結(jié)構(gòu)的長期可靠性。其涂布性能優(yōu)良,易做精細(xì)網(wǎng)點(diǎn),適用于安全氣囊傳感器、車載攝像頭模組等精密部件。產(chǎn)品通過 IATF 16949 汽車行業(yè)認(rèn)證,生產(chǎn)過程嚴(yán)格控制金屬離子含量,確保電子產(chǎn)品可靠性。 吉田半導(dǎo)體:以技術(shù)革新驅(qū)動(dòng)光刻膠產(chǎn)業(yè)升級(jí)。常州LED光刻膠 光刻膠(如液晶平板顯示器光刻膠) ...